Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon (1987)
- Autores:
- Autor USP: STOJANOFF, VIVIAN - IF
- Unidade: IF
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Proceedings
- Nome do evento: Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology
-
ABNT
STOJANOFF, Vivian e BULLA, Douglas Anderson Pereira. Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. 1987, Anais.. Berlin: Gadest, 1987. . Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Stojanoff, V., & Bulla, D. A. P. (1987). Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. In Proceedings. Berlin: Gadest. -
NLM
Stojanoff V, Bulla DAP. Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. Proceedings. 1987 ;[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Stojanoff V, Bulla DAP. Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. Proceedings. 1987 ;[citado 2024 set. 19 ] - Caracterizacao de interfaces por incidencia rasante de raios-x em modo dispersivo
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