Estudos ultrasônicos do 'ALFA'-'NI's'O IND.4'.6'H IND.2'o em baixas temperaturas (1981)
- Authors:
- Autor USP: STOJANOFF, VIVIAN - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Assunto: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
- Language: Português
- Imprenta:
- Data da defesa: 03.07.1981
-
ABNT
STOJANOFF, Vivian. Estudos ultrasônicos do 'ALFA'-'NI's'O IND.4'.6'H IND.2'o em baixas temperaturas. 1981. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1981. . Acesso em: 25 jan. 2026. -
APA
Stojanoff, V. (1981). Estudos ultrasônicos do 'ALFA'-'NI's'O IND.4'.6'H IND.2'o em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Stojanoff V. Estudos ultrasônicos do 'ALFA'-'NI's'O IND.4'.6'H IND.2'o em baixas temperaturas. 1981 ;[citado 2026 jan. 25 ] -
Vancouver
Stojanoff V. Estudos ultrasônicos do 'ALFA'-'NI's'O IND.4'.6'H IND.2'o em baixas temperaturas. 1981 ;[citado 2026 jan. 25 ] - Influence of growth conditions on properties of inp homoepitaxial layers grown by liquid phase epitaxy
- Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski
- Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon
- Defects in as-grown n-type czochralski silicon crystals
- Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers
- Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon
- Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon
- Tecnicas de raios-x no estudo de silicio de titano
- Estudo de doadores em monocristais de 'SI': b
- Estudos de defeitos em silício
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
