Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon (1986)
- Authors:
- Autor USP: STOJANOFF, VIVIAN - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: International Symposium on Silicon Materials Science and Technology: Semiconductor Silicon
-
ABNT
STOJANOFF, Vivian et al. Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. 1986, Anais.. Boston: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1986. . Acesso em: 24 jan. 2026. -
APA
Stojanoff, V., Pimentel, C. A., Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Hahn, S., & Ponce, F. A. (1986). Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. In Proceedings. Boston: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. -
NLM
Stojanoff V, Pimentel CA, Bulla DAP, Castro Junior WE, Hahn S, Ponce FA. Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. Proceedings. 1986 ;[citado 2026 jan. 24 ] -
Vancouver
Stojanoff V, Pimentel CA, Bulla DAP, Castro Junior WE, Hahn S, Ponce FA. Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. Proceedings. 1986 ;[citado 2026 jan. 24 ] - Influence of growth conditions on properties of inp homoepitaxial layers grown by liquid phase epitaxy
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