Tecnicas de raios-x no estudo de silicio de titano (1990)
- Authors:
- Autor USP: STOJANOFF, VIVIAN - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Conference titles: Reuniao da Sociedade Brasileira de Cristalografia
-
ABNT
CONFORTO, E e STOJANOFF, Vivian. Tecnicas de raios-x no estudo de silicio de titano. 1990, Anais.. Campinas: Unicamp, 1990. . Acesso em: 25 jan. 2026. -
APA
Conforto, E., & Stojanoff, V. (1990). Tecnicas de raios-x no estudo de silicio de titano. In . Campinas: Unicamp. -
NLM
Conforto E, Stojanoff V. Tecnicas de raios-x no estudo de silicio de titano. 1990 ;[citado 2026 jan. 25 ] -
Vancouver
Conforto E, Stojanoff V. Tecnicas de raios-x no estudo de silicio de titano. 1990 ;[citado 2026 jan. 25 ] - Influence of growth conditions on properties of inp homoepitaxial layers grown by liquid phase epitaxy
- Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski
- Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon
- Defects in as-grown n-type czochralski silicon crystals
- Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers
- Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon
- Estudos ultrasônicos do 'ALFA'-'NI's'O IND.4'.6'H IND.2'o em baixas temperaturas
- Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon
- Estudo de doadores em monocristais de 'SI': b
- Estudos de defeitos em silício
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas