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Trabalho de evento-resumo
Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices (1996)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ENDERLEIN, R et al. Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride (1996)
Castineira, J L P; Alves, J L; Leite, J. R.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Castineira, J. L. P., Alves, J. L., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Enderlein, R. (1996). Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Castineira JLP, Alves JL, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Castineira JLP, Alves JL, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells (1996)
Dantas, N O; Tabata, A; Martini, S.; Ceschim, A M; Scalfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DANTAS, N O et al. Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Dantas, N. O., Tabata, A., Martini, S., Ceschim, A. M., Scalfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1996). Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Dantas NO, Tabata A, Martini S, Ceschim AM, Scalfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Dantas NO, Tabata A, Martini S, Ceschim AM, Scalfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados (1996)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta (1996)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Silva, S W; Galzerani, J C; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, Alain André ; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Silva, S. W., Galzerani, J. C., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1996). Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Silva SW, Galzerani JC, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Silva SW, Galzerani JC, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular (1996)
Martini, S.; Tabata, A; Ceschin, A M; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S. et al. Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Martini, S., Tabata, A., Ceschin, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Martini S, Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Martini S, Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells (1996)
Castilho, Wagner Maciel ; Sipahi, Guilherme Matos ; Enderlein, Rolf; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTILHO, Wagner Maciel et al. Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Castilho, W. M., Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Castilho WM, Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Castilho WM, Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Estados eletronicos de pocos quanticos simulando heteroestruturas semicondutoras (1996)
Marques, M; Scolfaro, L M R
Fonte: [Resumos]. Nome do evento: Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M e SCOLFARO, L M R. Estados eletronicos de pocos quanticos simulando heteroestruturas semicondutoras. 1996, Anais.. São Paulo: USP, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Marques, M., & Scolfaro, L. M. R. (1996). Estados eletronicos de pocos quanticos simulando heteroestruturas semicondutoras. In [Resumos]. São Paulo: USP.
NLM
Marques M, Scolfaro LMR. Estados eletronicos de pocos quanticos simulando heteroestruturas semicondutoras. [Resumos]. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Marques M, Scolfaro LMR. Estados eletronicos de pocos quanticos simulando heteroestruturas semicondutoras. [Resumos]. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento
Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride (1996)
Castineira, J L P; Leite, J. R.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Alves, J L A; Kajaj, K K
Fonte: Anais. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Alves, J. L. A., & Kajaj, K. K. (1996). Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves JLA, Kajaj KK. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Anais. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves JLA, Kajaj KK. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Anais. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento
Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Anais. Nome do evento: International Conference on the Phisics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., & Schikora, D. (1996). Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento
Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes (1996)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, Alain André ; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Pusep, Yuri A ; Silva, S W; Silva, M T O; Galzerani, J C
Fonte: Anais. Nome do evento: Internatuonal Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Quivy, A. A., Lima, A. P., Leite, J. R., et al. (1996). Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. Anais. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. Anais. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Artigo de periodico
Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC' (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics, v. 80, n. 11, p. 6322, 1996Tradução . . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics, 80( 11), 6322.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics. 1996 ;80( 11): 6322.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics. 1996 ;80( 11): 6322.[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento
Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS' (1996)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Dias, I E L
Fonte: Materials Science and Engineering B 35. Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. 1996, Anais.. Cingapura: Elsevier, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Dias, I. E. L. (1996). Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. In Materials Science and Engineering B 35. Cingapura: Elsevier.
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IEL. Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science and Engineering B 35. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IEL. Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science and Engineering B 35. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers (1996)
Levine, Alexandre ; Silva, E C F; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, Alain André ; Enderlein, R; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, Alexandre et al. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1996). Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Levine A, Silva ECF, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Levine A, Silva ECF, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Artigo de periodico
Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields (1996)
Lino, A T; Takahashi, E K; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: International Journal Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, v. s30, p. 347, 1996Tradução . . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, s30, 347.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Luminescence from n- and p-type'DELTA'-doping wells in 'GA''AS': a comparative theoretical study (1996)
Sipahi, Guilherme Matos ; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Luminescence from n- and p-type'DELTA'-doping wells in 'GA''AS': a comparative theoretical study. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Luminescence from n- and p-type'DELTA'-doping wells in 'GA''AS': a comparative theoretical study. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Luminescence from n- and p-type'DELTA'-doping wells in 'GA''AS': a comparative theoretical study. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Luminescence from n- and p-type'DELTA'-doping wells in 'GA''AS': a comparative theoretical study. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Artigo de periodico
Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices (1996)
Sipahi, Guilherme Matos ; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices. Physical Review B, v. 53, p. 9930, 1996Tradução . . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices. Physical Review B, 53, 9930.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices. Physical Review B. 1996 ;53 9930.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices. Physical Review B. 1996 ;53 9930.[citado 2025 nov. 27 ]
Artigo de periodico
Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices (1996)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, Alain André ; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices. Physical Review B, v. 54, n. 19, p. 13927-31, 1996Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1996). Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices. Physical Review B, 54( 19), 13927-31. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices [Internet]. Physical Review B. 1996 ;54( 19): 13927-31.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices [Internet]. Physical Review B. 1996 ;54( 19): 13927-31.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
Trabalho de evento-resumo
Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies (1996)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, Alain André ; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Pusep, Yuri A ; Silva, S W; Silva, M T O; Galzerani, J C
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Quivy, A. A., Lima, A. P., Leite, J. R., et al. (1996). Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 27 ]

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