Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: Sao Paulo
- Date published: 1996
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
MARTINI, S. et al. Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Martini, S., Tabata, A., Ceschin, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Martini S, Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. Resumos. 1996 ;[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Martini S, Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. Resumos. 1996 ;[citado 2024 set. 19 ] - Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos
- Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon
- Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices
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- Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'
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