Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos (1994)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1994
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Schmidt, T. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Schmidt TM, Scolfaro LMR, Leite JR. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. Resumos. 1994 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Schmidt TM, Scolfaro LMR, Leite JR. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. Resumos. 1994 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon
- Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices
- Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon
- Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'
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- Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors
- Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities
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