Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1996
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
CASTILHO, W M et al. Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Castilho, W. M., Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Castilho WM, Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Castilho WM, Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Density functional theory for holes in semiconductors - replay
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