Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: World Scientific
- Publisher place: Singapore
- Date published: 1996
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors
-
ABNT
CASTINEIRA, J L P; LEITE, J. R.; SCOLFARO, L M R; et al. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. -
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Alves, J. L. A., & Kajaj, K. K. (1996). Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. In Anais. Singapore: World Scientific. -
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves JLA, Kajaj KK. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Anais. 1996 ; -
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves JLA, Kajaj KK. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Anais. 1996 ; - Condutividade eletrica de super-redes com dopagem tipo delta paralela a direcao de crescimento
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