Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: World Scientific
- Publisher place: Singapore
- Date published: 1996
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors
-
ABNT
CASTINEIRA, J L P; LEITE, J. R.; SCOLFARO, L M R; et al. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. -
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Alves, J. L. A., & Kajaj, K. K. (1996). Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. In Anais. Singapore: World Scientific. -
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves JLA, Kajaj KK. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Anais. 1996 ; -
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves JLA, Kajaj KK. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Anais. 1996 ; - Condutividade eletrica de super-redes com dopagem tipo delta paralela a direcao de crescimento
- Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c
- Níveis de energia de poços quânticos parabólicos submetidos a campos magnéticos in-plane
- Estudo teórico de primeiros princípios de massas efetivas em ligas semicondutoras
- Influence of biaxial strain on thermodynamic, structural, and electronic properties on 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys
- Stability of native defects in cubic boron nitride
- Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal
- Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'
- Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots
- Strained-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
