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Artigo de periodico
Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications (2023)
Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742
NLM
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Vancouver
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Artigo de periodico
ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing (2023)
Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Sasaki, Katia Regina Akemi; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SOLUÇÕES
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ABNT
DUARTE, Pedro Henrique et al. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2023). ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-4. doi:10.29292/jics.v18i1.646
NLM
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646
Vancouver
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646
Trabalho de evento-resumo
High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT (2023)
Torres, Bruno Bassi Millan ; Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, TRANSISTORES
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ABNT
TORRES, Bruno Bassi Millan e LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Torres, B. B. M., Luginieski, M., & Faria, G. C. (2023). High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf
NLM
Torres BBM, Luginieski M, Faria GC. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf
Vancouver
Torres BBM, Luginieski M, Faria GC. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf
Artigo de periodico
Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide (2023)
Ferreira, Rafael Cintra Hensel ; Comisso, Nicola ; Musiani, Marco ; Sedona, Francesco ; Sambi, Mauro ; Cester, Andrea ; Lago, Nicolò ; Casalini, Stefano
Source: Journal of Materials Chemistry C. Unidade: IFSC
Subjects: COBRE, TRANSISTORES, ELETRÔNICA
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ABNT
FERREIRA, Rafael Cintra Hensel et al. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide. Journal of Materials Chemistry C, v. 11, n. 26, p. 8876-8884 + supplementary information, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Ferreira, R. C. H., Comisso, N., Musiani, M., Sedona, F., Sambi, M., Cester, A., et al. (2023). Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide. Journal of Materials Chemistry C, 11( 26), 8876-8884 + supplementary information. doi:10.1039/d3tc00596h
NLM
Ferreira RCH, Comisso N, Musiani M, Sedona F, Sambi M, Cester A, Lago N, Casalini S. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2023 ; 11( 26): 8876-8884 + supplementary information.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h
Vancouver
Ferreira RCH, Comisso N, Musiani M, Sedona F, Sambi M, Cester A, Lago N, Casalini S. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2023 ; 11( 26): 8876-8884 + supplementary information.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h
Artigo de periodico
Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications (2023)
Silva, V C P; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS DIGITAIS
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ABNT
SILVA, V C P et al. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-5, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Silva, V. C. P., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2023). Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2023.108729
NLM
Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729
Vancouver
Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729
Artigo de periodico
Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis (2023)
Silva, Wenita de Lima; Toledo, Rodrigo do Nascimento; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
SILVA, Wenita de Lima et al. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, v. 202, p. 1-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Silva, W. de L., Toledo, R. do N., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, 202, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2023.108611
NLM
Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611
Vancouver
Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611
Trabalho de evento
Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs (2023)
Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
ARAÚJO, Gustavo Vinicius de e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
NLM
Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
Vancouver
Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
Artigo de periodico
Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies (2023)
Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 9, p. 1-12, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, 38( 9), 1-12. doi:10.1088/1361-6641/aceb84
NLM
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84
Vancouver
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84
Dissertação (Mestrado)
Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)
Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, ALUMÍNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
NLM
Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
Vancouver
Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (2023)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2023). Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
NLM
Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
Vancouver
Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
Trabalho de evento
Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms (2023)
Canales, Bruno Godoy; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANALES, Bruno Godoy e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Canales, B. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302593
NLM
Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593
Vancouver
Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593
Artigo de periodico
Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications (2023)
Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742
NLM
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Vancouver
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Trabalho de evento
Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)
Ramos, Daniel Augusto; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Rangel, Ricardo Cardoso; Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
NLM
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
Vancouver
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
Trabalho de evento
Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET (2023)
Ribeiro, Arllen D.R; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO, Arllen D.R et al. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
NLM
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
Vancouver
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
Trabalho de evento
Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K (2023)
Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERINA, Welder Fernandes et al. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302604
NLM
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604
Vancouver
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604
Trabalho de evento-resumo
Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach (2023)
Feitosa, Bianca de Andrade; Torres, Bruno Bassi Millan ; Coutinho, Douglas José ; Faria, Gregório Couto
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FEITOSA, Bianca de Andrade et al. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Feitosa, B. de A., Torres, B. B. M., Coutinho, D. J., & Faria, G. C. (2023). Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf
NLM
Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf
Vancouver
Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf
Artigo de periodico
MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics (2023)
Canales, Bruno Godoy; Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANALES, Bruno Godoy et al. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Canales, B. G., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, 38( 11), 1-6. doi:10.1088/1361-6641/acfa1f
NLM
Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f
Vancouver
Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f
Trabalho de evento-resumo
Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage (2023)
Seidel, Keli Fabiana; Lucas Junior, Hélio José; Patrzyk, Jéssica Nayara; Luginieski, Marcos ; Serbena, José Pedro Mansueto
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SEIDEL, Keli Fabiana et al. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Seidel, K. F., Lucas Junior, H. J., Patrzyk, J. N., Luginieski, M., & Serbena, J. P. M. (2023). Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf
NLM
Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf
Vancouver
Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf
Trabalho de evento-resumo
Mapping the electric field within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy (2023)
Sousa, Marcos da Silva; Miranda, Paulo Barbeitas
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA, ÓPTICA NÃO LINEAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUSA, Marcos da Silva e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Mapping the electric field within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/08be3892-cf9b-46f5-ad91-e3597c23fe32/3159767.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Sousa, M. da S., & Miranda, P. B. (2023). Mapping the electric field within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/08be3892-cf9b-46f5-ad91-e3597c23fe32/3159767.pdf
NLM
Sousa M da S, Miranda PB. Mapping the electric field within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/08be3892-cf9b-46f5-ad91-e3597c23fe32/3159767.pdf
Vancouver
Sousa M da S, Miranda PB. Mapping the electric field within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/08be3892-cf9b-46f5-ad91-e3597c23fe32/3159767.pdf
Trabalho de evento-resumo
Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles (2023)
Feitosa, Bianca de Andrade; Torres, Bruno Bassi Millan ; Coutinho, Douglas José ; Faria, Gregório Couto
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: TRANSISTORES, MATERIAIS ELETRÔNICOS, ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FEITOSA, Bianca de Andrade et al. Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7780681f-4543-4020-9bbc-b4a20e5afc15/3158862.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Feitosa, B. de A., Torres, B. B. M., Coutinho, D. J., & Faria, G. C. (2023). Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7780681f-4543-4020-9bbc-b4a20e5afc15/3158862.pdf
NLM
Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7780681f-4543-4020-9bbc-b4a20e5afc15/3158862.pdf
Vancouver
Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7780681f-4543-4020-9bbc-b4a20e5afc15/3158862.pdf

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