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Artigo de periodico
Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots (2025)
Brubach, J. ; Huang, T.-Y. ; Borrely, T ; Greenhill, C ; Walrath, J ; Fedele, G; Yang, Y.-C. ; Zimmerman, A. ; Goldman, R. S.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
BRUBACH, J. et al. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0244331. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Brubach, J., Huang, T. -Y., Borrely, T., Greenhill, C., Walrath, J., Fedele, G., et al. (2025). Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters. doi:https://doi.org/10.1063/5.0244331
NLM
Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331
Vancouver
Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331
Artigo de periodico
Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers (2024)
Huang, T.-Y. ; Borrely, T ; Yang, Y.-C. ; Alzeidan, A. ; Jacobsen, G. M. ; Teodoro, M. D. ; Quivy, Alain André ; Goldman, R. S.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, CÉLULAS SOLARES, FOTOLUMINESCÊNCIA, LASER DO ESTADO SÓLIDO
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ABNT
HUANG, T.-Y. et al. Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers. Applied Physics Letters, v. 125, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0219815. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Huang, T. -Y., Borrely, T., Yang, Y. -C., Alzeidan, A., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., et al. (2024). Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers. Applied Physics Letters, 125. doi:10.1063/5.0219815
NLM
Huang T-Y, Borrely T, Yang Y-C, Alzeidan A, Jacobsen GM, Teodoro MD, Quivy AA, Goldman RS. Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers [Internet]. Applied Physics Letters. 2024 ; 125[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0219815
Vancouver
Huang T-Y, Borrely T, Yang Y-C, Alzeidan A, Jacobsen GM, Teodoro MD, Quivy AA, Goldman RS. Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers [Internet]. Applied Physics Letters. 2024 ; 125[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0219815
Artigo de periodico
Probing conduction band offsets and confined states at 'GA'AS'/'GA''AS'N''BI' heterointerfaces (2023)
Huang, T.-Y.; Santos, Thales Borrely dos
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESPECTROSCOPIA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
HUANG, T.-Y. e SANTOS, Thales Borrely dos. Probing conduction band offsets and confined states at 'GA'AS'/'GA''AS'N''BI' heterointerfaces. Applied Physics Letters, v. 123, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0172295. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Huang, T. -Y., & Santos, T. B. dos. (2023). Probing conduction band offsets and confined states at 'GA'AS'/'GA''AS'N''BI' heterointerfaces. Applied Physics Letters, 123. doi:10.1063/5.0172295
NLM
Huang T-Y, Santos TB dos. Probing conduction band offsets and confined states at 'GA'AS'/'GA''AS'N''BI' heterointerfaces [Internet]. Applied Physics Letters. 2023 ; 123[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0172295
Vancouver
Huang T-Y, Santos TB dos. Probing conduction band offsets and confined states at 'GA'AS'/'GA''AS'N''BI' heterointerfaces [Internet]. Applied Physics Letters. 2023 ; 123[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0172295
Artigo de periodico
Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides (2020)
Gratens, X. ; Yunbo Ou ; Moodera, J. S.; Rappl, P. H. O.; Henriques, André Bohomoletz
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), FERROMAGNETISMO, CALCOGÊNIOS
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ABNT
GRATENS, X. et al. Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides. Applied Physics Letters, v. 116, n. 15, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5143311. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Gratens, X., Yunbo Ou,, Moodera, J. S., Rappl, P. H. O., & Henriques, A. B. (2020). Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides. Applied Physics Letters, 116( 15). doi:10.1063/1.5143311
NLM
Gratens X, Yunbo Ou, Moodera JS, Rappl PHO, Henriques AB. Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 15):[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5143311
Vancouver
Gratens X, Yunbo Ou, Moodera JS, Rappl PHO, Henriques AB. Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 15):[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5143311
Artigo de periodico
Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices (2013)
Caroena, G; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: EP, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SPINTRÔNICA
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ABNT
CAROENA, G et al. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. Applied Physics Letters, v. 102, n. 6, p. 062101, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4791787. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Caroena, G., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2013). Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. Applied Physics Letters, 102( 6), 062101. doi:10.1063/1.4791787
NLM
Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. Applied Physics Letters. 2013 ; 102( 6): 062101.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4791787
Vancouver
Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. Applied Physics Letters. 2013 ; 102( 6): 062101.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4791787
Artigo de periodico
Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach (2012)
Santos, J P T; Marques, M; Pelá, R R; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS MAGNÉTICOS, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, NÍQUEL
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ABNT
SANTOS, J P T et al. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 101, n. 11, p. 112403, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4751285. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Santos, J. P. T., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2012). Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, 101( 11), 112403. doi:10.1063/1.4751285
NLM
Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
Vancouver
Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
Artigo de periodico
GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations (2012)
Pela, R R; Marques, M; Ferreira, Luiz Guimarães; Furthmüller, Jurgen; Teles, L. K.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS)
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ABNT
PELA, R R et al. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, v. 100, n. 20, p. 202408/1-202408/4, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4718602. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Pela, R. R., Marques, M., Ferreira, L. G., Furthmüller, J., & Teles, L. K. (2012). GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, 100( 20), 202408/1-202408/4. doi:10.1063/1.4718602
NLM
Pela RR, Marques M, Ferreira LG, Furthmüller J, Teles LK. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ; 100( 20): 202408/1-202408/4.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4718602
Vancouver
Pela RR, Marques M, Ferreira LG, Furthmüller J, Teles LK. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ; 100( 20): 202408/1-202408/4.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4718602
Artigo de periodico
Increase in the magnitude of the energy barrier distribution in 'NI' nanoparticles due to dipolar interactions (2011)
Masunaga, S. H. ; Jardim, Renato de Figueiredo ; Freitas, Rafael Sá de ; Rivas, J
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: NANOPARTÍCULAS
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ABNT
MASUNAGA, S. H. et al. Increase in the magnitude of the energy barrier distribution in 'NI' nanoparticles due to dipolar interactions. Applied Physics Letters, v. 98, n. ja2011, p. 013110, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3533911. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Masunaga, S. H., Jardim, R. de F., Freitas, R. S. de, & Rivas, J. (2011). Increase in the magnitude of the energy barrier distribution in 'NI' nanoparticles due to dipolar interactions. Applied Physics Letters, 98( ja2011), 013110. doi:10.1063/1.3533911
NLM
Masunaga SH, Jardim R de F, Freitas RS de, Rivas J. Increase in the magnitude of the energy barrier distribution in 'NI' nanoparticles due to dipolar interactions [Internet]. Applied Physics Letters. 2011 ;98( ja2011): 013110.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3533911
Vancouver
Masunaga SH, Jardim R de F, Freitas RS de, Rivas J. Increase in the magnitude of the energy barrier distribution in 'NI' nanoparticles due to dipolar interactions [Internet]. Applied Physics Letters. 2011 ;98( ja2011): 013110.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3533911
Artigo de periodico
Tailoring magnetic vortices in nanostructures (2010)
Garcia, Flavio; Westfahl Junior, Harry; Schoenmaker, Jeroen; Carvalho, Edson Jose; Santos, Antonio Domingues; Pojar, Mariana ; Seabra, Antonio Carlos ; Bendounan, Azzedine; Belkhou, Rachid; Guimarães, Alberto Passos
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Assunto: MAGNÉSIO
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ABNT
GARCIA, Flavio et al. Tailoring magnetic vortices in nanostructures. Applied Physics Letters, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3462305. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Garcia, F., Westfahl Junior, H., Schoenmaker, J., Carvalho, E. J., Santos, A. D., Pojar, M., et al. (2010). Tailoring magnetic vortices in nanostructures. Applied Physics Letters. doi:10.1063/1.3462305
NLM
Garcia F, Westfahl Junior H, Schoenmaker J, Carvalho EJ, Santos AD, Pojar M, Seabra AC, Bendounan A, Belkhou R, Guimarães AP. Tailoring magnetic vortices in nanostructures [Internet]. Applied Physics Letters. 2010 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3462305
Vancouver
Garcia F, Westfahl Junior H, Schoenmaker J, Carvalho EJ, Santos AD, Pojar M, Seabra AC, Bendounan A, Belkhou R, Guimarães AP. Tailoring magnetic vortices in nanostructures [Internet]. Applied Physics Letters. 2010 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3462305
Artigo de periodico
Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys (2009)
Caetano, Clovis; Marques, Marcelo; Ferreira, Luiz Guimarães; Teles, L. K.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
CAETANO, Clovis et al. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys. Applied Physics Letters, v. 94, n. 24, p. 241914/1-241914/3. 2009, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3154560. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Caetano, C., Marques, M., Ferreira, L. G., & Teles, L. K. (2009). Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys. Applied Physics Letters, 94( 24), 241914/1-241914/3. 2009. doi:10.1063/1.3154560
NLM
Caetano C, Marques M, Ferreira LG, Teles LK. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 94( 24): 241914/1-241914/3. 2009.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3154560
Vancouver
Caetano C, Marques M, Ferreira LG, Teles LK. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 94( 24): 241914/1-241914/3. 2009.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3154560
Artigo de periodico
Magnetic ordering of EuTe/PbTe multilayers determined by x-ray resonant diffraction (2009)
Diaz, B; Granado, E; Abramof, E; Rappl, P H O; Chitta, Valmir Antonio ; Henriques, André Bohomoletz
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESPALHAMENTO, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIAZ, B et al. Magnetic ordering of EuTe/PbTe multilayers determined by x-ray resonant diffraction. Applied Physics Letters, v. 92, n. 24, p. 242511/1-242511/3, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2945802. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Diaz, B., Granado, E., Abramof, E., Rappl, P. H. O., Chitta, V. A., & Henriques, A. B. (2009). Magnetic ordering of EuTe/PbTe multilayers determined by x-ray resonant diffraction. Applied Physics Letters, 92( 24), 242511/1-242511/3. doi:10.1063/1.2945802
NLM
Diaz B, Granado E, Abramof E, Rappl PHO, Chitta VA, Henriques AB. Magnetic ordering of EuTe/PbTe multilayers determined by x-ray resonant diffraction [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 92( 24): 242511/1-242511/3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2945802
Vancouver
Diaz B, Granado E, Abramof E, Rappl PHO, Chitta VA, Henriques AB. Magnetic ordering of EuTe/PbTe multilayers determined by x-ray resonant diffraction [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 92( 24): 242511/1-242511/3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2945802
Artigo de periodico
Depth-dependent chemical and magnetic local orders in thin magnetic films (2006)
Souza Neto, Narcizo M; Ramos, A Y; Tolentino, H C N; Martins, A; Santos, A. D.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, ESPALHAMENTO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA NETO, Narcizo M et al. Depth-dependent chemical and magnetic local orders in thin magnetic films. Applied Physics Letters, v. 89, n. 11, p. 111910/1-111910/3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2335782. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Souza Neto, N. M., Ramos, A. Y., Tolentino, H. C. N., Martins, A., & Santos, A. D. (2006). Depth-dependent chemical and magnetic local orders in thin magnetic films. Applied Physics Letters, 89( 11), 111910/1-111910/3. doi:10.1063/1.2335782
NLM
Souza Neto NM, Ramos AY, Tolentino HCN, Martins A, Santos AD. Depth-dependent chemical and magnetic local orders in thin magnetic films [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 89( 11): 111910/1-111910/3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335782
Vancouver
Souza Neto NM, Ramos AY, Tolentino HCN, Martins A, Santos AD. Depth-dependent chemical and magnetic local orders in thin magnetic films [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 89( 11): 111910/1-111910/3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335782
Artigo de periodico
High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition (2006)
Szafraniec, J; Tsao, S; Zhang, W; Lim, H; Taguchi, M; Quivy, A. A.; Movaghar, B; Razeghi, M
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SZAFRANIEC, J et al. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition. Applied Physics Letters, v. 88, n. 12, p. 121102/1-121102/3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2188056. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Szafraniec, J., Tsao, S., Zhang, W., Lim, H., Taguchi, M., Quivy, A. A., et al. (2006). High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition. Applied Physics Letters, 88( 12), 121102/1-121102/3. doi:10.1063/1.2188056
NLM
Szafraniec J, Tsao S, Zhang W, Lim H, Taguchi M, Quivy AA, Movaghar B, Razeghi M. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 12): 121102/1-121102/3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2188056
Vancouver
Szafraniec J, Tsao S, Zhang W, Lim H, Taguchi M, Quivy AA, Movaghar B, Razeghi M. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 12): 121102/1-121102/3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2188056
Artigo de periodico
Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN (2006)
Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Teles, L. K.; Furthmüller, Jurgen; Bechstedt, F; Ferreira, L G
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, v. 88, n. 2, p. 022507-1/022507-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2162802. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2006). Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, 88( 2), 022507-1/022507-3. doi:10.1063/1.2162802
NLM
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802
Vancouver
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802
Artigo de periodico
Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy (2006)
Schoenmaker, J; Santos, A. D.; Souche, Y; Seabra, A C; Sampaio, L. C.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MAGNETISMO, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHOENMAKER, J et al. Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy. Applied Physics Letters, v. 88, n. 6, p. 062506, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2172016. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Schoenmaker, J., Santos, A. D., Souche, Y., Seabra, A. C., & Sampaio, L. C. (2006). Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy. Applied Physics Letters, 88( 6), 062506. doi:10.1063/1.2172016
NLM
Schoenmaker J, Santos AD, Souche Y, Seabra AC, Sampaio LC. Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 6): 062506.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2172016
Vancouver
Schoenmaker J, Santos AD, Souche Y, Seabra AC, Sampaio LC. Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 6): 062506.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2172016
Artigo de periodico
Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 (2006)
Ayres, Frederico; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, DETETORES, MERCÚRIO (ELEMENTO QUÍMICO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, Frederico et al. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, v. 88, n. 1, p. 011918-1/011918-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2159573. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2006). Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, 88( 1), 011918-1/011918-3. doi:10.1063/1.2159573
NLM
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Vancouver
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Artigo de periodico
Electrical response of a liquid crystal cell: the role of Debye's layer (2006)
Barbero, Giovanni; Cipparrone, G; Martins, Odair Gimenes; Pagliusi, P; Figueiredo Neto, Antonio Martins
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: CRISTAIS LÍQUIDOS, FLUÍDOS COMPLEXOS
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ABNT
BARBERO, Giovanni et al. Electrical response of a liquid crystal cell: the role of Debye's layer. Applied Physics Letters, v. 89, n. 13, p. 132901, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2357554. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Barbero, G., Cipparrone, G., Martins, O. G., Pagliusi, P., & Figueiredo Neto, A. M. (2006). Electrical response of a liquid crystal cell: the role of Debye's layer. Applied Physics Letters, 89( 13), 132901. doi:10.1063/1.2357554
NLM
Barbero G, Cipparrone G, Martins OG, Pagliusi P, Figueiredo Neto AM. Electrical response of a liquid crystal cell: the role of Debye's layer [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 89( 13): 132901.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2357554
Vancouver
Barbero G, Cipparrone G, Martins OG, Pagliusi P, Figueiredo Neto AM. Electrical response of a liquid crystal cell: the role of Debye's layer [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 89( 13): 132901.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2357554
Artigo de periodico
Electric field dependence of the electric conductivity in liquid crystals made of bent-core molecules (2006)
Martins, Odair Gimenes; Barbero, Giovanni; Pedreira, A M; Jákli, A; Sawade, H; Figueiredo Neto, Antonio Martins
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: CRISTAIS LÍQUIDOS
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ABNT
MARTINS, Odair Gimenes et al. Electric field dependence of the electric conductivity in liquid crystals made of bent-core molecules. Applied Physics Letters, v. 88, n. 13, p. 212904/1-212904/3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2206684. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Martins, O. G., Barbero, G., Pedreira, A. M., Jákli, A., Sawade, H., & Figueiredo Neto, A. M. (2006). Electric field dependence of the electric conductivity in liquid crystals made of bent-core molecules. Applied Physics Letters, 88( 13), 212904/1-212904/3. doi:10.1063/1.2206684
NLM
Martins OG, Barbero G, Pedreira AM, Jákli A, Sawade H, Figueiredo Neto AM. Electric field dependence of the electric conductivity in liquid crystals made of bent-core molecules [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 13): 212904/1-212904/3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2206684
Vancouver
Martins OG, Barbero G, Pedreira AM, Jákli A, Sawade H, Figueiredo Neto AM. Electric field dependence of the electric conductivity in liquid crystals made of bent-core molecules [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 13): 212904/1-212904/3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2206684
Artigo de periodico
Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure (2005)
Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F; Ferreira, L G
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, v. 86, n. 16, p. 164105/1-164105/3, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1905787. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2005). Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, 86( 16), 164105/1-164105/3. doi:10.1063/1.1905787
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787
Artigo de periodico
Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) (2005)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, v. 86, p. 213111, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1931027. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, 86, 213111. doi:10.1063/1.1931027
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027

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