Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN (2006)
- Authors:
- Autor USP: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.2162802
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 88, n. 2, p. 022507-1/022507-3, 2006
- Este artigo possui versão em acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Versão do Documento: Versão publicada (Published version)
-
Status: Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access) -
ABNT
MARQUES, M et al. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, v. 88, n. 2, p. 022507-1/022507-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2162802. Acesso em: 15 mar. 2026. -
APA
Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2006). Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, 88( 2), 022507-1/022507-3. doi:10.1063/1.2162802 -
NLM
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2026 mar. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802 -
Vancouver
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2026 mar. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802 - Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV
- Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS'
- Niveis de energia de pocos quanticos tipo 'GA IND.1-X' 'AL IND.XAS' / 'GA'as' / 'ga ind.1-x' 'al ind.Xas'
- Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS'
- Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de l'NI IND.X' 'GA IND.1-X'as' / 'ga''as'
- Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic
- Optical properties and effective carrier masses of High-K oxides Hf'O IND.2', Zr'O IND.2' and Sn'O IND.2' as obtained from full relativistic Ab initio calculations
- Absorção ótica, XPS e cálculos de primeiros princípios em cristais de `alfa´-glicina
- Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals
- Estabilidade de aceitadores em AlN e GaN cúbicos
Informações sobre a disponibilidade de versões do artigo em acesso aberto coletadas automaticamente via oaDOI API (Unpaywall).
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
