Estabilidade de aceitadores em AlN e GaN cúbicos (2001)
- Authors:
- Autor USP: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
MARQUES, Marcelo e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Estabilidade de aceitadores em AlN e GaN cúbicos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 03 nov. 2024. -
APA
Marques, M., & Scolfaro, L. M. R. (2001). Estabilidade de aceitadores em AlN e GaN cúbicos. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Marques M, Scolfaro LMR. Estabilidade de aceitadores em AlN e GaN cúbicos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 nov. 03 ] -
Vancouver
Marques M, Scolfaro LMR. Estabilidade de aceitadores em AlN e GaN cúbicos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 nov. 03 ] - Niveis de energia de pocos quanticos tipo 'GA IND.1-X' 'AL IND.XAS' / 'GA'as' / 'ga ind.1-x' 'al ind.Xas'
- Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras
- Phase separation in Cubic Group-III nitride alloys
- Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study
- Optical properties and effective carrier masses of High-K oxides Hf'O IND.2', Zr'O IND.2' and Sn'O IND.2' as obtained from full relativistic Ab initio calculations
- Absorção ótica, XPS e cálculos de primeiros princípios em cristais de `alfa´-glicina
- Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals
- Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields
- Estados eletronicos de pocos quanticos simulando heteroestruturas semicondutoras
- Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
