Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations (1991)
- Authors:
- Autor USP: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/0038-1098(91)90622-3
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.78, p.793-6, 1991
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
RODRIGUES, R et al. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, v. 78, p. 793-6, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3. Acesso em: 20 fev. 2026. -
APA
Rodrigues, R., Guimaraes, P. S. S., Sampaio, J. F., Nogueira, R. A., Oliveira Junior, A. T., Dias, I. F. L., et al. (1991). Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, 78, 793-6. doi:10.1016/0038-1098(91)90622-3 -
NLM
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2026 fev. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3 -
Vancouver
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2026 fev. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3 - Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV
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Informações sobre o DOI: 10.1016/0038-1098(91)90622-3 (Fonte: oaDOI API)
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