Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys (2009)
- Authors:
- Autor USP: FERREIRA, LUIZ GUIMARAES - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.3154560
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 94, n. 24, p. 241914/1-241914/3. 2009
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: green
-
ABNT
CAETANO, Clovis et al. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys. Applied Physics Letters, v. 94, n. 24, p. 241914/1-241914/3. 2009, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3154560. Acesso em: 14 jan. 2026. -
APA
Caetano, C., Marques, M., Ferreira, L. G., & Teles, L. K. (2009). Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys. Applied Physics Letters, 94( 24), 241914/1-241914/3. 2009. doi:10.1063/1.3154560 -
NLM
Caetano C, Marques M, Ferreira LG, Teles LK. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 94( 24): 241914/1-241914/3. 2009.[citado 2026 jan. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3154560 -
Vancouver
Caetano C, Marques M, Ferreira LG, Teles LK. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 94( 24): 241914/1-241914/3. 2009.[citado 2026 jan. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3154560 - Ab initio study of graphene/graphane interface using approximate quasiparticle approach LDA-1/2 method
- Some surprising results of the kohn-sham density functional
- Mecânica estatística de compostos intermetálicos
- Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals
- Fast and precise calculation of band gaps
- Ordering in semiconductor alloys
- First-principles calculation of temperature-composition phase diagrams of semiconductor alloys
- Application of the variational cellular method to semiconductors: the 'ZNS' case
- Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells
- First principles phase diagrams calculation of ii-vi semiconductor alloys
Informações sobre o DOI: 10.1063/1.3154560 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas