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Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)
Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) ; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
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ABNT
GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
NLM
Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
Vancouver
Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
Artigo de periodico
The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs (2017)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Collaert, Nadine ; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 64, n. 9, p. 3595-3600, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Bordallo, C. C. M., Collaert, N., Claeys, C., Simoen, E., Vandooren, A., Rooyackers, R., et al. (2017). The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 64( 9), 3595-3600. doi:10.1109/ted.2017.2721110
NLM
Bordallo CCM, Collaert N, Claeys C, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017 ; 64( 9): 3595-3600.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110
Vancouver
Bordallo CCM, Collaert N, Claeys C, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017 ; 64( 9): 3595-3600.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110
Artigo de periodico
Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K (2016)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 12, p. 124001, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Bordallo, C. C. M., Vandooren, A., Rooyackers, R., Mols, Y., Alian, A., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2016). Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology, 31( 12), 124001. doi:10.1088/0268-1242/31/12/124001
NLM
Bordallo CCM, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 12): 124001.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001
Vancouver
Bordallo CCM, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 12): 124001.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001
Artigo de periodico
Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Agopian, Paula Ghedini Der ; Simoen, Eddy ; Langer, Robert; Collaert, Nadine ; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 11, p. 114002 , 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Agopian, P. G. D., Simoen, E., Langer, R., Collaert, N., Thean, A., et al. (2016). Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. Semiconductor Science and Technology, 31( 11), 114002 . doi:10.1088/0268-1242/31/11/114002
NLM
Oliveira AV de, Agopian PGD, Simoen E, Langer R, Collaert N, Thean A, Claeys C, Martino JA. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114002 .[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002
Vancouver
Oliveira AV de, Agopian PGD, Simoen E, Langer R, Collaert N, Thean A, Claeys C, Martino JA. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114002 .[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002
Artigo de periodico
Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Collaert, Nadine ; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures. Solid-State Electronics, v. 123, p. 124-129, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.004. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Collaert, N., Thean, A., Claeys, C., Simoen, E., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2016). Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures. Solid-State Electronics, 123, 124-129. doi:10.1016/j.sse.2016.05.004
NLM
Oliveira AV de, Collaert N, Thean A, Claeys C, Simoen E, Agopian PGD, Martino JA. Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 123 124-129.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.004
Vancouver
Oliveira AV de, Collaert N, Thean A, Claeys C, Simoen E, Agopian PGD, Martino JA. Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 123 124-129.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.004
Artigo de periodico
Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs (2015)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Manini, Matheus Barros; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Martino, João Antonio
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi et al. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, v. 112, p. 19-23, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Sasaki, K. R. A., Manini, M. B., Claeys, C., Simoen, E., & Martino, J. A. (2015). Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, 112, 19-23. doi:10.1016/j.sse.2015.02.011
NLM
Sasaki KRA, Manini MB, Claeys C, Simoen E, Martino JA. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 19-23.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011
Vancouver
Sasaki KRA, Manini MB, Claeys C, Simoen E, Martino JA. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 19-23.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011
Dissertação (Mestrado)
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (2014)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2014). Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
NLM
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
Vancouver
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
Tese (Doutorado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (2011)
Camillo, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMILLO, Luciano Mendes. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Camillo, L. M. (2011). Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
NLM
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
Vancouver
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
Tese (Doutorado)
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (2010)
Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, BAIXA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Santos, C. D. G. dos. (2010). Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
NLM
Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
Vancouver
Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
Artigo de periodico
Electrical and optical response of aconducting polymer gas sensor (2008)
Lima, John Paul Hempel; Andrade, Adnei Melges de
Source: ECS Transactions. Unidade: IEE
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, John Paul Hempel e ANDRADE, Adnei Melges de. Electrical and optical response of aconducting polymer gas sensor. ECS Transactions, v. 14, n. 1, p. 21-26, 2008Tradução . . Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Lima, J. P. H., & Andrade, A. M. de. (2008). Electrical and optical response of aconducting polymer gas sensor. ECS Transactions, 14( 1), 21-26.
NLM
Lima JPH, Andrade AM de. Electrical and optical response of aconducting polymer gas sensor. ECS Transactions. 2008 ;14( 1): 21-26.[citado 2024 out. 09 ]
Vancouver
Lima JPH, Andrade AM de. Electrical and optical response of aconducting polymer gas sensor. ECS Transactions. 2008 ;14( 1): 21-26.[citado 2024 out. 09 ]
Tese (Livre Docência)
Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica (2006)
Justo Filho, João Francisco
Unidade: EP
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco. Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica. 2006. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. . Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Justo Filho, J. F. (2006). Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Justo Filho JF. Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica. 2006 ;[citado 2024 out. 09 ]
Vancouver
Justo Filho JF. Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica. 2006 ;[citado 2024 out. 09 ]
Dissertação (Mestrado)
Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica (2006)
Paiola, Artur Gasparetto; Nicolett, Aparecido Sirley (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIOLA, Artur Gasparetto. Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. . Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Paiola, A. G. (2006). Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Paiola AG. Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. 2006 ;[citado 2024 out. 09 ]
Vancouver
Paiola AG. Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. 2006 ;[citado 2024 out. 09 ]
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P (2006)
Pestana, Ricardo; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIODOS, MEDIDAS ELÉTRICAS, MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PESTANA, Ricardo. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Pestana, R. (2006). Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
NLM
Pestana R. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P [Internet]. 2006 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
Vancouver
Pestana R. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P [Internet]. 2006 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura (2005)
Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Santos, C. D. G. dos. (2005). Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Santos CDG dos. Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. 2005 ;[citado 2024 out. 09 ]
Vancouver
Santos CDG dos. Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. 2005 ;[citado 2024 out. 09 ]
Artigo de periodico
The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors (2004)
Nabet, Bahram; Romero, Murilo Araújo; Cola, Adriano; Quaranta, Fabio
Source: Journal of Electronic Materials. Unidade: EESC
Subjects: COMUNICAÇÕES OPTO-ELETRÔNICAS, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NABET, Bahram et al. The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors. Journal of Electronic Materials, v. 33, n. 2, p. 123-127, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s11664-004-0281-9. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Nabet, B., Romero, M. A., Cola, A., & Quaranta, F. (2004). The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors. Journal of Electronic Materials, 33( 2), 123-127. doi:10.1007/s11664-004-0281-9
NLM
Nabet B, Romero MA, Cola A, Quaranta F. The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors [Internet]. Journal of Electronic Materials. 2004 ; 33( 2): 123-127.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s11664-004-0281-9
Vancouver
Nabet B, Romero MA, Cola A, Quaranta F. The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors [Internet]. Journal of Electronic Materials. 2004 ; 33( 2): 123-127.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s11664-004-0281-9
Artigo de periodico
The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot (2004)
Rodríguez Coppola, H; Tutor Sánchez, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; García Moliner, F
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRÍGUEZ COPPOLA, H et al. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Rodríguez Coppola, H., Tutor Sánchez, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & García Moliner, F. (2004). The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal. doi:10.1016/j.mejo.2003.10.005
NLM
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Vancouver
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Trabalho de evento
Modeling the C-V characteristics of heterodimensional schottky contacts (2002)
Pereira, Regiane Aparecida Ragi; Manzoli, José Eduardo; Romero, Murilo Araújo; Nabet, B.
Conference titles: ESSDERC 2002 : European Solid-State Device Research Conference. Unidade: EESC
Subjects: MICROELETRÔNICA, TECNOLOGIA DE MICRO-ONDAS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, Regiane Aparecida Ragi et al. Modeling the C-V characteristics of heterodimensional schottky contacts. 2002, Anais.. Firenze: ST/IEEE Electron Devices Society, 2002. . Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Pereira, R. A. R., Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Nabet, B. (2002). Modeling the C-V characteristics of heterodimensional schottky contacts. In . Firenze: ST/IEEE Electron Devices Society.
NLM
Pereira RAR, Manzoli JE, Romero MA, Nabet B. Modeling the C-V characteristics of heterodimensional schottky contacts. 2002 ;[citado 2024 out. 09 ]
Vancouver
Pereira RAR, Manzoli JE, Romero MA, Nabet B. Modeling the C-V characteristics of heterodimensional schottky contacts. 2002 ;[citado 2024 out. 09 ]
Dissertação (Mestrado)
Efeitos dos mecanismos de falha na confiabilidade de dispositivos semicondutores (1994)
Perez Lisboa, Mauricio Oscar; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREZ LISBOA, Mauricio Oscar. Efeitos dos mecanismos de falha na confiabilidade de dispositivos semicondutores. 1994. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-133649/pt-br.php. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Perez Lisboa, M. O. (1994). Efeitos dos mecanismos de falha na confiabilidade de dispositivos semicondutores (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-133649/pt-br.php
NLM
Perez Lisboa MO. Efeitos dos mecanismos de falha na confiabilidade de dispositivos semicondutores [Internet]. 1994 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-133649/pt-br.php
Vancouver
Perez Lisboa MO. Efeitos dos mecanismos de falha na confiabilidade de dispositivos semicondutores [Internet]. 1994 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-133649/pt-br.php

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