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Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica (2006)

  • Authors:
  • Autor USP: PAIOLA, ARTUR GASPARETTO - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: SEMICONDUTORES; TRANSISTORES; MICROELETRÔNICA
  • Language: Português
  • Abstract: O objetivo deste trabalho é analisar a aplicação da técnica dos dois picos para extração das espessuras do óxido de porta (toxf) e da camada de silício (tSi) em dispositivos submicrométricos, e o impacto do efeito de tunelamento pelo óxido na extração destes parâmetros. O método dos dois picos utiliza-se da segunda derivada de curvas de corrente por tensão (I x V), para a extração dos parâmetros físicos, no caso, as espessuras do óxido de porta e da camada de silício. Por meio de um simulador numérico bidimensional e também através de medidas experimentais de dispositivos SOI com comprimentos de canal variando entre 10 µm e 0,15 µm, foram feitas análises comparativas entre dispositivos que apresentam efeito de tunelamento e dispositivos que não apresentam tal efeito, com a finalidade de analisar o comportamento das componentes de corrente e tensão. Os resultados mostram que o impacto deste efeito quântico sobre os dispositivos analisados e sobre o método dos dois picos não é significativo e não prejudica a extração dos parâmetros. Porém, observou-se que o efeito de canal curto influencia mais diretamente no método para extração de tSi e toxf, do que o próprio efeito de tunelamento
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 03.03.2006

  • How to cite
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    • ABNT

      PAIOLA, Artur Gasparetto; NICOLETT, Aparecido Sirley. Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. 2006.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006.
    • APA

      Paiola, A. G., & Nicolett, A. S. (2006). Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Paiola AG, Nicolett AS. Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. 2006 ;
    • Vancouver

      Paiola AG, Nicolett AS. Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. 2006 ;

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