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Dissertação (Mestrado)
Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS (2022)
Amaral, Thiago Alves Mendes do; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador) ; Hernández Herrera, Hugo Daniel (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
AMARAL, Thiago Alves Mendes do. Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Amaral, T. A. M. do. (2022). Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/
NLM
Amaral TAM do. Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS [Internet]. 2022 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/
Vancouver
Amaral TAM do. Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS [Internet]. 2022 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/
Tese (Doutorado)
Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (2012)
Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MEMÓRIA RAM, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO
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ABNT
ALMEIDA, Luciano Mendes. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Almeida, L. M. (2012). Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
NLM
Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
Vancouver
Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
Dissertação (Mestrado)
Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência (2010)
Cabrera Salas, Dwight José; Vale Neto, José Vieira do (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, OSCILADORES
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ABNT
CABRERA SALAS, Dwight José. Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21122010-132451/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Cabrera Salas, D. J. (2010). Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21122010-132451/
NLM
Cabrera Salas DJ. Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21122010-132451/
Vancouver
Cabrera Salas DJ. Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21122010-132451/
Dissertação (Mestrado)
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (2010)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Santos, S. D. dos. (2010). Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
NLM
Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
Vancouver
Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
Dissertação (Mestrado)
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado (2009)
Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
NICOLETTI, Talitha. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Nicoletti, T. (2009). Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
NLM
Nicoletti T. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado [Internet]. 2009 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
Vancouver
Nicoletti T. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado [Internet]. 2009 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
Dissertação (Mestrado)
Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (2009)
Amaro, Jefferson Oliveira; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, TRANSISTORES (MODELAGEM), CIRCUITOS ANALÓGICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS
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ABNT
AMARO, Jefferson Oliveira. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Amaro, J. O. (2009). Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
NLM
Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
Vancouver
Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
Trabalho de evento-resumo
Aplicação da técnica extended true single phase clock com biblioteca de células em projetos digitais CMOS de alta velocidade (2008)
Calderaro, Felipe Boteon; Soares Júnior, João Navarro
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: EESC
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
CALDERARO, Felipe Boteon e SOARES JÚNIOR, João Navarro. Aplicação da técnica extended true single phase clock com biblioteca de células em projetos digitais CMOS de alta velocidade. 2008, Anais.. São Paulo: USP, 2008. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Calderaro, F. B., & Soares Júnior, J. N. (2008). Aplicação da técnica extended true single phase clock com biblioteca de células em projetos digitais CMOS de alta velocidade. In Resumos. São Paulo: USP.
NLM
Calderaro FB, Soares Júnior JN. Aplicação da técnica extended true single phase clock com biblioteca de células em projetos digitais CMOS de alta velocidade. Resumos. 2008 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Calderaro FB, Soares Júnior JN. Aplicação da técnica extended true single phase clock com biblioteca de células em projetos digitais CMOS de alta velocidade. Resumos. 2008 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Tese (Doutorado)
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos (2008)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Agopian, P. G. D. (2008). Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
NLM
Agopian PGD. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
Vancouver
Agopian PGD. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au (2008)
Scaff, Robson; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, ELETROQUÍMICA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCAFF, Robson. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Scaff, R. (2008). Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/
NLM
Scaff R. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/
Vancouver
Scaff R. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/
Trabalho de evento
The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs (2007)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: SBMicro 2007. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs. 2007, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2007. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2007). The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs. In SBMicro 2007. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Agopian PGD, Martino JA, Simoen E, Claeys C. The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Agopian PGD, Martino JA, Simoen E, Claeys C. The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Dissertação (Mestrado)
Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF (2007)
Hamanaka, Cristian Otsuka; Soares Junior, João Navarro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HAMANAKA, Cristian Otsuka. Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Hamanaka, C. O. (2007). Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/
NLM
Hamanaka CO. Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/
Vancouver
Hamanaka CO. Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica (2006)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Rodrigues, M. (2006). Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
NLM
Rodrigues M. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
Vancouver
Rodrigues M. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
Dissertação (Mestrado)
Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS (2006)
Miranda, Fernando Pedro Henriques de; Soares Junior, João Navarro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Fernando Pedro Henriques de. Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14122006-154818/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Miranda, F. P. H. de. (2006). Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14122006-154818/
NLM
Miranda FPH de. Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14122006-154818/
Vancouver
Miranda FPH de. Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14122006-154818/
Dissertação (Mestrado)
Estudo e projeto de um conversor D/A de alta velocidade em tecnologia CMOS (2005)
Oliveira, Claudia Almerindo de Souza; Soares Junior, João Navarro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, CONVERSORES A/D E D/A
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Claudia Almerindo de Souza. Estudo e projeto de um conversor D/A de alta velocidade em tecnologia CMOS. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06082005-105902/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Oliveira, C. A. de S. (2005). Estudo e projeto de um conversor D/A de alta velocidade em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06082005-105902/
NLM
Oliveira CA de S. Estudo e projeto de um conversor D/A de alta velocidade em tecnologia CMOS [Internet]. 2005 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06082005-105902/
Vancouver
Oliveira CA de S. Estudo e projeto de um conversor D/A de alta velocidade em tecnologia CMOS [Internet]. 2005 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06082005-105902/
Dissertação (Mestrado)
Estudo e caracterização do efeito do descasamento de parâmetros em tapered buffers CMOS (2005)
Aragão, Alexandre de Jesus; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARAGÃO, Alexandre de Jesus. Estudo e caracterização do efeito do descasamento de parâmetros em tapered buffers CMOS. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Aragão, A. de J. (2005). Estudo e caracterização do efeito do descasamento de parâmetros em tapered buffers CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Aragão A de J. Estudo e caracterização do efeito do descasamento de parâmetros em tapered buffers CMOS. 2005 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Aragão A de J. Estudo e caracterização do efeito do descasamento de parâmetros em tapered buffers CMOS. 2005 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Tese (Doutorado)
Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS (2004)
Chavez Porras, Fernando; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SISTEMAS MICROELETROMECÂNICOS, MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHAVEZ PORRAS, Fernando. Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Chavez Porras, F. (2004). Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Chavez Porras F. Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Chavez Porras F. Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo e projeto de um sintetizador de freqüência para RF em tecnologia CMOS de 0,35µm (2004)
Gómez Argüello, Angel María; Soares Junior, João Navarro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, TELECOMUNICAÇÕES (APLICAÇÕES), OSCILADORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GÓMEZ ARGÜELLO, Angel María. Estudo e projeto de um sintetizador de freqüência para RF em tecnologia CMOS de 0,35µm. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Gómez Argüello, A. M. (2004). Estudo e projeto de um sintetizador de freqüência para RF em tecnologia CMOS de 0,35µm (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Gómez Argüello AM. Estudo e projeto de um sintetizador de freqüência para RF em tecnologia CMOS de 0,35µm. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Gómez Argüello AM. Estudo e projeto de um sintetizador de freqüência para RF em tecnologia CMOS de 0,35µm. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Trabalho de evento
An improved model for the triangular SOI misalignment test structure (2004)
Giacomini, Renato Camargo; Martino, João Antonio
Source: Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, ELETROQUÍMICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
GIACOMINI, Renato Camargo e MARTINO, João Antonio. An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Giacomini, R. C., & Martino, J. A. (2004). An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Giacomini RC, Martino JA. An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Giacomini RC, Martino JA. An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Dissertação (Mestrado)
Projeto de um amplificador de potência integrado a 2,4GHz em tecnologia CMOS (2004)
Rodríguez Ramírez, Eduard Emiro; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, AMPLIFICADORES
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ABNT
RODRÍGUEZ RAMÍREZ, Eduard Emiro. Projeto de um amplificador de potência integrado a 2,4GHz em tecnologia CMOS. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Rodríguez Ramírez, E. E. (2004). Projeto de um amplificador de potência integrado a 2,4GHz em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Rodríguez Ramírez EE. Projeto de um amplificador de potência integrado a 2,4GHz em tecnologia CMOS. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Rodríguez Ramírez EE. Projeto de um amplificador de potência integrado a 2,4GHz em tecnologia CMOS. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Trabalho de evento
Characterization of thin MOS gate oxides grown in pyrogenic environment (2004)
Nogueira, Willian Aurélio; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Source: Microelectronics technology and devices SBMicro 2004.. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, FILMES FINOS, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
NOGUEIRA, Willian Aurélio e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Characterization of thin MOS gate oxides grown in pyrogenic environment. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Nogueira, W. A., & Santos Filho, S. G. dos. (2004). Characterization of thin MOS gate oxides grown in pyrogenic environment. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004.. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Nogueira WA, Santos Filho SG dos. Characterization of thin MOS gate oxides grown in pyrogenic environment. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Nogueira WA, Santos Filho SG dos. Characterization of thin MOS gate oxides grown in pyrogenic environment. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ]

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