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Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au (2008)

  • Authors:
  • Autor USP: SCAFF, ROBSON - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS; ELETROQUÍMICA; MICROELETRÔNICA
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho, foi realizado um estudo da caracterização elétrica dos ISFETs com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4', utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au como alternativas aos eletrodos convencionais para medições de pH. Primeiramente, foram empregados três métodos reportados na literatura (extrapolação linear para obtenção da tensão de limiar, segunda derivada para obtenção da tensão de limiar e corrente de sublimiar, respectivamente) com o objetivo de obter a sensibilidade dos ISFETs (mV/pH) e analisar a confiabilidade dos resultados utilizando eletrodo de referência padrão de Ag/AgCl. Posteriormente, tendo como base o eletrodo de Ag/AgCl, foram estudados os desempenhos de pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au nas medidas de pH. Como resultado, observou-se que os pseudoeletrodos de Pt e Ag apresentaram sensibilidades compatíveis com o eletrodo de referência padrão de Ag/AgCl (~50mV/pH) para pH ácido na faixa de 1 a 3. Já o pseudoeletrodo de Au, manteve um comportamento aproximadamente linear ao longo de toda a faixa de pH estudada (1 a 10), porém, com sensibilidade inferior na faixa de 32 à 34mV/pH.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 02.07.2008
  • Acesso à fonte
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    • ABNT

      SCAFF, Robson. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/. Acesso em: 18 abr. 2024.
    • APA

      Scaff, R. (2008). Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/
    • NLM

      Scaff R. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au [Internet]. 2008 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/
    • Vancouver

      Scaff R. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au [Internet]. 2008 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/

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