Exportar registro bibliográfico

Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF (2007)

  • Authors:
  • Autor USP: HAMANAKA, CRISTIAN OTSUKA - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: MICROELETRÔNICA; CIRCUITOS INTEGRADOS MOS; CIRCUITOS ANALÓGICOS
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho consiste no projeto de uma Referência Bandgap CMOS para ser utilizada em sistemas RF mais especificamente na polarização de conversores analógico/digital e digital/analógico e reguladores de tensão, por exemplo. A referência utiliza dispositivos MOS em inversão fraca e um bipolar parasitário, utilizados para gerar uma tensão PTAT e uma tensão VBE que somadas tornam o circuito independente da temperatura. Para este circuito foi adotada a tecnologia da AMS 0,35 µm com quatro níveis de metal e dois de silício policristalino. O layout deste circuito foi extraído e foram feitas mais algumas simulações, utilizando o software ELDO com o modelo BSIM3v3, parâmetros típicos, variando a tensão de alimentação e a temperatura. Através destas simulações verificou-se que o circuito atendia as especificações inicias e foram enviados para fabricação dois circuitos: um circuito com resistores integrados e outro sem resistores (771 µm x 327 µm com Pad's) e em seguida foram caracterizados, obteve-se assim uma tensão média de 1,238 V e um coeficiente de temperatura de 40 ppm/°C na faixa de -30°C a 100°C para o circuito com resistores integrados. Para os circuitos sem os resistores integrados foram utilizados potenciômetros para o ajuste em aproximadamente 1,25 V para uma tensão de 3 V de alimentação. Houve apenas uma pequena variação de 5 mV entre as tensões de saída, portanto, os potenciômetros podem ser utilizados no ajuste de um circuito de tensão de referência em aplicações que não exigem grande precisão, de preferência a temperatura ambiente e com tensões de alimentação acima de 1,8 V. Para todos os circuitos o consumo de corrente foi de aproximadamente 14 µA e um consumo de potência de aproximadamente 58 µW.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 11.05.2007
  • Acesso à fonte
    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      HAMANAKA, Cristian Otsuka. Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/. Acesso em: 04 out. 2024.
    • APA

      Hamanaka, C. O. (2007). Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/
    • NLM

      Hamanaka CO. Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF [Internet]. 2007 ;[citado 2024 out. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/
    • Vancouver

      Hamanaka CO. Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF [Internet]. 2007 ;[citado 2024 out. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/

    Últimas obras dos mesmos autores vinculados com a USP cadastradas na BDPI:

    Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2024