Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (2009)
- Authors:
- Autor USP: AMARO, JEFFERSON OLIVEIRA - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Subjects: MICROELETRÔNICA; CIRCUITOS INTEGRADOS MOS; TRANSISTORES (MODELAGEM); CIRCUITOS ANALÓGICOS; DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; MEDIDAS ELÉTRICAS
- Language: Português
- Abstract: Este trabalho apresenta o estudo do desempenho analógico do transistor SOI MOSFET com tensão de limiar dinamicamente variável (DTMOS). Esse dispositivo é fabricado em tecnologia SOI parcialmente depletada (PD). A tensão de limiar desta estrutura varia dinamicamente porque a porta do transistor está curto-circuitada com o canal do mesmo, melhorando significativamente suas características elétricas quando comparadas aos transistores PD SOI MOSFET convencionais. Entre as características principais desse dispositivo, pode-se citar a inclinação de sublimiar praticamente ideal (60 mV/dec), reduzindo, dessa forma, o efeito de corpo, resultando num aumento significativo da corrente total que corresponde à soma da corrente do transistor principal com a corrente do transistor bipolar parasitário inerente à estrutura. Diversas simulações numéricas bidimensionais, utilizando o simulador ATLAS, foram executadas a fim de se obter um melhor entendimento do dispositivo DTMOS, quando comparado com o SOI convencional. As características elétricas analisadas através das simulações foram as curvas da corrente de dreno (ID) em função da tensão aplicada na porta (VG), considerando a tensão fixa no dreno (VD) em 25 mV e 1V respectivamente para valores de comprimento de canal que variou de 10 a 1 um. A partir das curvas ID x VG, considerando VD baixo, extraíram-se as curvas de transcondutância (gm), a inclinação de sublimiar (S) e a tensão de limiar (VTH). Considerando VD alto (1V), extraíram-se as curvas de transcondutância e inclinação de sublimiar. Na etapa seguinte foram simuladas as curvas características da corrente em função da tensão aplicada no dreno para valores fixos de VGT que variou de 0 a 200 mV. A partir dessas curvas obteve-se a tensão Early (VEA), a condutância de saída (gD) dos dispositivos, bem como o ganho intrínseco de tensão DC (Av) e a freqüência de ganho unitário (fT).Os resultados experimentais foram realizados em duas etapas: na primeira, extraíram-se todas as curvas variando o comprimento do canal (L) e na segunda, manteve-se um valor fixo do comprimento, variando somente a largura do canal (W) para identificar quais seriam os impactos no resultados. Foi verificado uma melhora na performance dos parâmetros analógicos do DTMOS quando comparado com o PDSOI. Como supracitado o DTMOS têm algumas vantagens quando comparado com o SOI convencional e esse dispositivo têm sido muito utilizado em aplicações de baixa tensão e baixa potência.
- Imprenta:
- Data da defesa: 28.04.2009
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ABNT
AMARO, Jefferson Oliveira. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/. Acesso em: 17 abr. 2024. -
APA
Amaro, J. O. (2009). Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/ -
NLM
Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2024 abr. 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/ -
Vancouver
Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2024 abr. 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
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