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Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica (2006)

  • Authors:
  • Autor USP: RODRIGUES, MICHELE - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: CAPACITORES; CIRCUITOS INTEGRADOS MOS; MICROELETRÔNICA
  • Language: Português
  • Abstract: Apresentamos neste trabalho um estudo do efeito da depleção do silício policristalino e da corrente de tunelamento em dispositivos com óxidos de porta finos. Utilizamos curvas características da capacitância em função da tensão de porta (C-V), para analisar a degradação causada por estes efeitos. Quanto ao efeito da depleção do silício policristalino a capacitância total na região de inversão apresenta uma redução conforme a concentração de dopantes do silício policristalino diminui. Este efeito foi observado em curvas C-V tanto de alta como de baixa freqüência, sendo esta última mais afetada. A corrente de tunelamento através do óxido de porta apresentou uma influência na largura da região de depleção no silício, que aumentou devido ao tunelamento de portadores do substrato. Como resultado, uma diminuição na capacitância do silício foi observada, fazendo a curva C-V diminuir na região de inversão. Quando considerado o efeito de depleção no silício policristalino junto com o efeito do tunelamento, observou-se que na região da porta houve um excesso de portadores, causando uma diminuição na região de depleção do silício policristalino. Neste caso a curva C-V sofreu uma maior redução, tornando-se difícil separar os dois efeitos. A curva C-V de baixa freqüência foi a mais atingida, pois como os portadores tem tempo de resposta, pode-se observar a influência da corrente de tunelamento nas cargas de inversão. Apresentamos ainda um novo método para a determinação da concentração de dopantes no substrato e no silício policristalino, através de curvas C-V de alta freqüência. Simulações numéricas bidimensionais e medidas experimentais foram utilizadas para validação do método. Os resultados obtidos indicam que o método proposto apresenta um grande potencial, tendo como principal vantagem a simplicidade de aplicação.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 23.06.2006
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      RODRIGUES, Michele; MARTINO, João Antonio. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica. 2006.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/ >.
    • APA

      Rodrigues, M., & Martino, J. A. (2006). Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
    • NLM

      Rodrigues M, Martino JA. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2006 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
    • Vancouver

      Rodrigues M, Martino JA. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2006 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/


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