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Trabalho de evento-resumo
Dielectric properties of phosphate glasses doped with cobalt oxide (2003)
Bergo, Paulo Victor Alburquerque; Pontuschka, W. M.; Prison, José Mário; motta, c c; Martinelli, J R
Source: Abstracts. Conference titles: Annual Meeting on the International Commission on Glass. Unidade: IF
Subjects: VIDRO, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
BERGO, Paulo Victor Alburquerque et al. Dielectric properties of phosphate glasses doped with cobalt oxide. 2003, Anais.. São Paulo: ABIVIDRO, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bergo, P. V. A., Pontuschka, W. M., Prison, J. M., motta, c c, & Martinelli, J. R. (2003). Dielectric properties of phosphate glasses doped with cobalt oxide. In Abstracts. São Paulo: ABIVIDRO.
NLM
Bergo PVA, Pontuschka WM, Prison JM, motta c c, Martinelli JR. Dielectric properties of phosphate glasses doped with cobalt oxide. Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bergo PVA, Pontuschka WM, Prison JM, motta c c, Martinelli JR. Dielectric properties of phosphate glasses doped with cobalt oxide. Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots (2003)
Oliveira, C de; Nogueira, R A; Alves, A; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Oliveira, C. de, Nogueira, R. A., Alves, A., & Leite, J. R. (2003). Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves A, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves A, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2003). Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN (2003)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
PAIVA, R de et al. First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2003). First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards (2003)
Sotomayor Choque, Nilo Mauricio; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SOTOMAYOR CHOQUE, Nilo Mauricio e GUSEV, Guennadii Michailovich e LEITE, J. R. Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sotomayor Choque, N. M., Gusev, G. M., & Leite, J. R. (2003). Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Sotomayor Choque NM, Gusev GM, Leite JR. Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Sotomayor Choque NM, Gusev GM, Leite JR. Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities (2003)
Haiduke, Roberto Luiz Andrade ; Oliveira, Anselmo E. de; Bruns, Roy Edward
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Simpósio Brasileiro de Química Teórica. Unidade: IQ
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, QUÍMICA TEÓRICA, QUÍMICA ORGÂNICA
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ABNT
HAIDUKE, Roberto Luiz Andrade e OLIVEIRA, Anselmo E. de e BRUNS, Roy Edward. Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities. 2003, Anais.. Caxambu: Instituto de Química, Universidade de São Paulo, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Haiduke, R. L. A., Oliveira, A. E. de, & Bruns, R. E. (2003). Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities. In Livro de Resumos. Caxambu: Instituto de Química, Universidade de São Paulo.
NLM
Haiduke RLA, Oliveira AE de, Bruns RE. Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities. Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Haiduke RLA, Oliveira AE de, Bruns RE. Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities. Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots (2003)
Cruz, J M R; Sales, F V de; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
CRUZ, J M R et al. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 107-108, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Cruz, J. M. R., Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 107-108. doi:10.1016/s1386-9477(02)00721-x
NLM
Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x
Vancouver
Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x
Artigo de periodico
Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon (2003)
Lamas, T. E.; Martini, S; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LAMAS, T. E. et al. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lamas, T. E., Martini, S., Silva, M. J. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 701-703. doi:10.1016/s0026-2692(03)00106-x
NLM
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Vancouver
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Artigo de periodico
Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots (2003)
Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 120-121, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 120-121. doi:10.1016/s1386-9477(02)00739-7
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7
Trabalho de evento-resumo
A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide (2003)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Defects in mercuric iodide: an APW investigation (2003)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS)
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ABNT
AYRES, F et al. Defects in mercuric iodide: an APW investigation. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2003). Defects in mercuric iodide: an APW investigation. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.236
NLM
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Defects in mercuric iodide: an APW investigation [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Defects in mercuric iodide: an APW investigation [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236
Artigo de periodico
Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) (2003)
Miotto, R; Miwa, R H; Ferraz, A. C.
Source: Phisical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R e MIWA, R H e FERRAZ, A. C. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001). Phisical Review B, v. 68, n. 11, p. 115436/1-1155436/6, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (2003). Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001). Phisical Review B, 68( 11), 115436/1-1155436/6. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
NLM
Miotto R, Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) [Internet]. Phisical Review B. 2003 ; 68( 11): 115436/1-1155436/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
Vancouver
Miotto R, Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) [Internet]. Phisical Review B. 2003 ; 68( 11): 115436/1-1155436/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides (2003)
Ramos, L E; Furthmüller, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Bechstedt, F
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMOS, L E et al. Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides. Physical Review B, v. 68, n. 8, p. 085209/1-085209/12, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.085209. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ramos, L. E., Furthmüller, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Bechstedt, F. (2003). Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides. Physical Review B, 68( 8), 085209/1-085209/12. doi:10.1103/physrevb.68.085209
NLM
Ramos LE, Furthmüller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 8): 085209/1-085209/12.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.085209
Vancouver
Ramos LE, Furthmüller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 8): 085209/1-085209/12.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.085209
Artigo de periodico
Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function (2003)
Marques, M; Teles, L. K.; Anjos, V; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F da
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, v. 82, n. 18, p. 3074-3076, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1570922. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Anjos, V., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Freire, V. N., et al. (2003). Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, 82( 18), 3074-3076. doi:10.1063/1.1570922
NLM
Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
Vancouver
Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
Artigo de periodico
Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots (2003)
Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Nogueira, R A; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 725-727, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Nogueira, R. A., & Leite, J. R. (2003). Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 725-727. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Trabalho de evento-resumo
Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain (2003)
Gomes, Paulo F; Godoy, M P F; Nakaema, M K K; Iikawa, F; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Paulo F et al. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gomes, P. F., Godoy, M. P. F., Nakaema, M. K. K., Iikawa, F., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2003). Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions (2003)
Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Potthast, A; Lischka, K
Source: Programa e Libro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., As, D. J., Potthast, A., & Lischka, K. (2003). Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. In Programa e Libro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Tabata, A; Rodrigues, S C P; Cerdeira, F; Meneses, E A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Tabata, A., Rodrigues, S. C. P., Cerdeira, F., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of geometric properties of crystalline biphenyl (2003)
Ancalla Dávila, Liliana Yolanda; Caldas, Marilia Junqueira
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANCALLA DÁVILA, Liliana Yolanda e CALDAS, Marilia Junqueira. Study of geometric properties of crystalline biphenyl. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ancalla Dávila, L. Y., & Caldas, M. J. (2003). Study of geometric properties of crystalline biphenyl. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Ancalla Dávila LY, Caldas MJ. Study of geometric properties of crystalline biphenyl. Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Ancalla Dávila LY, Caldas MJ. Study of geometric properties of crystalline biphenyl. Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm (2003)
Silva, M J da; Martini, S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, M. J. da, Martini, S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 631-633. doi:10.1016/s0026-2692(03)00066-1
NLM
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1
Vancouver
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1

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