Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain (2003)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- Subjects: SEMICONDUTORES; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Elsevier Science
- Publisher place: Amsterdam
- Date published: 2003
- Source:
- Título: Book of Abstracts
- Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors
-
ABNT
GOMES, Paulo F et al. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 02 nov. 2024. -
APA
Gomes, P. F., Godoy, M. P. F., Nakaema, M. K. K., Iikawa, F., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2003). Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science. -
NLM
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 02 ] -
Vancouver
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