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Trabalho de evento-resumo
Impurezas de metal de transicao em compostos iii-v (1987)
Pintanel, R; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
PINTANEL, R e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Impurezas de metal de transicao em compostos iii-v. 1987, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1987. . Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Pintanel, R., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1987). Impurezas de metal de transicao em compostos iii-v. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Pintanel R, Gomes VMS, Leite JR. Impurezas de metal de transicao em compostos iii-v. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Pintanel R, Gomes VMS, Leite JR. Impurezas de metal de transicao em compostos iii-v. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2024 set. 18 ]
Artigo de periodico
Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices (1987)
Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: DIMENSÃO
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ABNT
GOMES, V M S et al. Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices. Physical Review B, v. 35, n. 8 , p. 3984-9, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.35.3984. Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1987). Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices. Physical Review B, 35( 8 ), 3984-9. doi:10.1103/physrevb.35.3984
NLM
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices [Internet]. Physical Review B. 1987 ;35( 8 ): 3984-9.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.35.3984
Vancouver
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices [Internet]. Physical Review B. 1987 ;35( 8 ): 3984-9.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.35.3984
Trabalho de evento-resumo periodico
Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' (1986)
Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
OLIVEIRA, G M G et al. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 18 set. 2024. , 1986
APA
Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 326.[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 326.[citado 2024 set. 18 ]
Artigo de periodico
Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields (1986)
Leite, J. R.; Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Chaves, A S
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. Unidade: IF
Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
LEITE, J. R. et al. Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, v. 20, p. 335-46, 1986Tradução . . Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Leite, J. R., Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., & Chaves, A. S. (1986). Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, 20, 335-46.
NLM
Leite JR, Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS. Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 335-46.[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Leite JR, Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS. Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 335-46.[citado 2024 set. 18 ]
Artigo de periodico
Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon (1986)
Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GOMES, V M S e ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, v. 20, p. 749-61, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560300764. Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, 20, 749-61. doi:10.1002/qua.560300764
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 749-61.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560300764
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 749-61.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560300764
Trabalho de evento-resumo periodico
Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem (1986)
Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 18 set. 2024. , 1986
APA
Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 325.[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 325.[citado 2024 set. 18 ]
Artigo de periodico
Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS' (1986)
Scolfaro, L M R; Pintanel, R; Gomes, V M S; Leite, J. R.; Chaves, A A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 34, n. 10, p. 7135-9, 1986Tradução . . Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., Pintanel, R., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Chaves, A. A. (1986). Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS'. Physical Review B, 34( 10), 7135-9.
NLM
Scolfaro LMR, Pintanel R, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AA. Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS'. Physical Review B. 1986 ;34( 10): 7135-9.[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Pintanel R, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AA. Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS'. Physical Review B. 1986 ;34( 10): 7135-9.[citado 2024 set. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' (1986)
Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, G M G et al. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. 1986, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 set. 18 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon (1986)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Mat Science Forum. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 18 set. 2024. , 1986
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1986). Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 905-10.[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 905-10.[citado 2024 set. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem (1986)
Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. 1986, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 set. 18 ]
Trabalho de evento
Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 set. 18 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio (1985)
Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 18 set. 2024. , 1985
APA
Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 set. 18 ]
Artigo de periodico
Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon (1985)
Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Caldas, Marília Junqueira; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
GOMES, V M S et al. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, v. 53, p. 841-4, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x. Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., Caldas, M. J., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, 53, 841-4. doi:10.1016/0038-1098(85)90064-x
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Trabalho de evento-resumo periodico
Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.; Assali, L. V. C.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. e ASSALI, L. V. C. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 18 set. 2024. , 1985
APA
Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Assali, L. V. C. (1985). Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR, Assali LVC. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 251.[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR, Assali LVC. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 251.[citado 2024 set. 18 ]
Artigo de periodico
Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters, v. 47, p. 824-6, 1985Tradução . . Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters, 47, 824-6.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters. 1985 ;47 824-6.[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters. 1985 ;47 824-6.[citado 2024 set. 18 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of complex defects in silicon (1985)
Leite, J. R.; Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Scolfaro, L M R
Source: Journal of Electronic Materials. Serie a. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a, v. 14, p. 885-91, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bfb0034418. Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Leite, J. R., Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Scolfaro, L. M. R. (1985). Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a, 14, 885-91. doi:10.1007/bfb0034418
NLM
Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC, Scolfaro LMR. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Journal of Electronic Materials. Serie a. 1985 ;14 885-91.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Vancouver
Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC, Scolfaro LMR. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Journal of Electronic Materials. Serie a. 1985 ;14 885-91.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Tese (Doutorado)
Impurezas de oxigenio em silicio (1985)
Gomes, Vivili Maria Silva; Leite, José Roberto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Vivili Maria Silva. Impurezas de oxigenio em silicio. 1985. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Gomes, V. M. S. (1985). Impurezas de oxigenio em silicio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Gomes VMS. Impurezas de oxigenio em silicio. 1985 ;[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Gomes VMS. Impurezas de oxigenio em silicio. 1985 ;[citado 2024 set. 18 ]
Artigo de periodico
Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon (1985)
Alves, J L A; Leite, J. R.; Gomes, V M S; Assali, L. V. C.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MICROSCOPIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, J L A et al. Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications, v. 55, p. 333-7, 1985Tradução . . Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Alves, J. L. A., Leite, J. R., Gomes, V. M. S., & Assali, L. V. C. (1985). Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications, 55, 333-7.
NLM
Alves JLA, Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC. Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications. 1985 ;55 333-7.[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Alves JLA, Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC. Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications. 1985 ;55 333-7.[citado 2024 set. 18 ]
Dissertação (Mestrado)
Aplicação de uma versão generalizada do metodo do espalhamento multiplo ao 'H POT.+ IND.2' (1982)
Gomes, Vivili Maria Silva; Agostinho Neto, Augusto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Vivili Maria Silva. Aplicação de uma versão generalizada do metodo do espalhamento multiplo ao 'H POT.+ IND.2'. 1982. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1982. . Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Gomes, V. M. S. (1982). Aplicação de uma versão generalizada do metodo do espalhamento multiplo ao 'H POT.+ IND.2' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Gomes VMS. Aplicação de uma versão generalizada do metodo do espalhamento multiplo ao 'H POT.+ IND.2'. 1982 ;[citado 2024 set. 18 ]
Vancouver
Gomes VMS. Aplicação de uma versão generalizada do metodo do espalhamento multiplo ao 'H POT.+ IND.2'. 1982 ;[citado 2024 set. 18 ]

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