Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS' (1986)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: FÍSICA
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.34, n.10, p.7135-9, 1986
-
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 34, n. 10, p. 7135-9, 1986Tradução . . Acesso em: 18 set. 2024. -
APA
Scolfaro, L. M. R., Pintanel, R., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Chaves, A. A. (1986). Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS'. Physical Review B, 34( 10), 7135-9. -
NLM
Scolfaro LMR, Pintanel R, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AA. Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS'. Physical Review B. 1986 ;34( 10): 7135-9.[citado 2024 set. 18 ] -
Vancouver
Scolfaro LMR, Pintanel R, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AA. Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS'. Physical Review B. 1986 ;34( 10): 7135-9.[citado 2024 set. 18 ] - Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon
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