ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate (2006)
Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; Cerdeira, F; Meneses, E A; Li, S F; As, D J; Lischka, K
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESPALHAMENTO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 21, n. 7, p. 846-851, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Li, S. F., As, D. J., & Lischka, K. (2006). Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, 21( 7), 846-851. doi:10.1088/0268-1242/21/7/003
NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003
Artigo de periodico
Spin polarization by tilted magnetic field in wide "Ga IND.1-x" "Al IND.x" As parabolic quantum wells (2005)
Lima, Ivan Costa da Cunha; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.
Source: Journal of Superconductivity. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Ivan Costa da Cunha e GUSEV, Guennadii Michailovich e LEITE, J. R. Spin polarization by tilted magnetic field in wide "Ga IND.1-x" "Al IND.x" As parabolic quantum wells. Journal of Superconductivity, v. 18. n. 2, p. 169-173, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.springerlink.com/media/GAF8JB47ET2XPLEEAL5X/Contributions/W/1/3/6/W1360712G254U6K1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lima, I. C. da C., Gusev, G. M., & Leite, J. R. (2005). Spin polarization by tilted magnetic field in wide "Ga IND.1-x" "Al IND.x" As parabolic quantum wells. Journal of Superconductivity, 18. n. 2, 169-173. Recuperado de http://www.springerlink.com/media/GAF8JB47ET2XPLEEAL5X/Contributions/W/1/3/6/W1360712G254U6K1.pdf
NLM
Lima IC da C, Gusev GM, Leite JR. Spin polarization by tilted magnetic field in wide "Ga IND.1-x" "Al IND.x" As parabolic quantum wells [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 2 169-173.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/GAF8JB47ET2XPLEEAL5X/Contributions/W/1/3/6/W1360712G254U6K1.pdf
Vancouver
Lima IC da C, Gusev GM, Leite JR. Spin polarization by tilted magnetic field in wide "Ga IND.1-x" "Al IND.x" As parabolic quantum wells [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 2 169-173.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/GAF8JB47ET2XPLEEAL5X/Contributions/W/1/3/6/W1360712G254U6K1.pdf
Artigo de periodico
Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study (2005)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Unidade: IF
Subjects: MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS, MATÉRIA CONDENSADA, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, v. 288, n. 384-396, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 288( 384-396). Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2005 ; 288( 384-396):[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2005 ; 288( 384-396):[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
Artigo de periodico
Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys (2005)
Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physics Status Solidi C. Unidade: IF
Assunto: ESTADO SÓLIDO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys. Physics Status Solidi C, v. 2, n. 7, p. 2508-2511, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2005). Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys. Physics Status Solidi C, 2( 7), 2508-2511. doi:10.1002/pssc.200461516
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys [Internet]. Physics Status Solidi C. 2005 ; 2( 7): 2508-2511.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys [Internet]. Physics Status Solidi C. 2005 ; 2( 7): 2508-2511.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516
Trabalho de evento-resumo
Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons (2005)
Lopes, K. C.; Matsuoka, Massao; Sucasaire, W; Mittani, Juan C. R ; Avanci, L. H; Chubaci, José Fernando Diniz ; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira ; Leite, J. R.; Sant'Ana, A. C. de; Temperini, Márcia Laudelina Arruda ; Freitas, J. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, IQ
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, FEIXES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, K. C. et al. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lopes, K. C., Matsuoka, M., Sucasaire, W., Mittani, J. C. R., Avanci, L. H., Chubaci, J. F. D., et al. (2005). Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
NLM
Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCB da S, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
Vancouver
Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCB da S, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures (2005)
Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, I. C. da Cunha; Leite, J. R.
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1994119. Acesso em: 03 nov. 2025. , 2005
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, I. C. da C., & Leite, J. R. (2005). Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.1994119
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C, Leite JR. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2005 ; 772( 1): 323-324.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1994119
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C, Leite JR. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2005 ; 772( 1): 323-324.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1994119
Trabalho de evento-resumo
Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn (2005)
Caetano, Eweron Wagner Santos; Freire, Valder Nogueira; Farias, Gil de Aquino; Pinheiro, Jean Reinildes; Cavada, B. S.; Leite, J. R.; Alves, Horacio Wagner Leite
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAETANO, Eweron Wagner Santos et al. Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Caetano, E. W. S., Freire, V. N., Farias, G. de A., Pinheiro, J. R., Cavada, B. S., Leite, J. R., & Alves, H. W. L. (2005). Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf
NLM
Caetano EWS, Freire VN, Farias G de A, Pinheiro JR, Cavada BS, Leite JR, Alves HWL. Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf
Vancouver
Caetano EWS, Freire VN, Farias G de A, Pinheiro JR, Cavada BS, Leite JR, Alves HWL. Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf
Artigo de periodico
Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant (2005)
Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Martini, S; Silva, M J da; Leite, J. R.
Source: Thin Solid Films. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004
NLM
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Artigo de periodico
Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region (2005)
Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T. E.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region. Journal of Crystal Growth, v. 278, p. 103-107, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2005). Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region. Journal of Crystal Growth, 278, 103-107. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118
NLM
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 278 103-107.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118
Vancouver
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 278 103-107.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118
Artigo de periodico
Growth and characterization of cubic (2005)
Pacheco-Salazar, D G; Li, S F; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; As, D J; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: CRISTALOGRAFIA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Li, S. F., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., et al. (2005). Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
NLM
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Trabalho de evento-resumo
DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas (2005)
Anjos, V; Leão, S A; Souza, M A R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANJOS, V et al. DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Anjos, V., Leão, S. A., Souza, M. A. R., & Leite, J. R. (2005). DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf
NLM
Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf
Vancouver
Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf
Artigo de periodico
Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas (2005)
Gusev, Guennadii Michailovich; Duarte, C A; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Toropov, A I
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, EFEITO HALL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 71, n. 16, p. 165311/1-165311/8, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Gusev, G. M., Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2005). Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, 71( 16), 165311/1-165311/8. doi:10.1103/physrevb.71.165311
NLM
Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
Vancouver
Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
Artigo de periodico
Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate (2005)
Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CRISTALOGRAFIA, FEIXES, CRESCIMENTO DE CRISTAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049
NLM
Leite JR, Scolfaro LMR. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049
Vancouver
Leite JR, Scolfaro LMR. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049
Artigo de periodico
Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures (2005)
Lima, Ivan Costa da Cunha; Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Journal of Superconductivity. Unidades: IFSC, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Ivan Costa da Cunha et al. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity, v. 18. n. 1, p. 61-67, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2005). Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity, 18. n. 1, 61-67. Recuperado de http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
NLM
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 1 61-67.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
Vancouver
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 1 61-67.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
Trabalho de evento-resumo
Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N (2003)
Marques, Marcelo; Teles, Lara K; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, Marcelo et al. Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N. Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N. Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots (2003)
Oliveira, C de; Nogueira, R A; Alves, A; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Oliveira, C. de, Nogueira, R. A., Alves, A., & Leite, J. R. (2003). Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves A, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves A, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2003). Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Brasil, M J S P; Soares, J A N; Santos, A M; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Köhler, U; Potthast, S; Pacheco Salazar, D G
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Brasil, M. J. S. P., Soares, J. A. N., Santos, A. M., et al. (2003). Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B. doi:10.1103/physrevb.68.155204
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JAN, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco Salazar DG. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN [Internet]. Physical Review B. 2003 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JAN, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco Salazar DG. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN [Internet]. Physical Review B. 2003 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204
Trabalho de evento-resumo
First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN (2003)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2003). First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 03 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Document Types

USP Schools

Departament

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Source title

Publisher

Conference titles

Countries/Territories

Indexado em

Normalized affiliation

Non normalized affiliation