Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate (2005)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; CRISTALOGRAFIA; FEIXES; CRESCIMENTO DE CRISTAIS; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Journal of Crystal Growth
- ISSN: 0022-0248
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
LEITE, J. R. e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049. Acesso em: 07 out. 2024. -
APA
Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049 -
NLM
Leite JR, Scolfaro LMR. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 out. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049 -
Vancouver
Leite JR, Scolfaro LMR. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 out. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049 - Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049 (Fonte: oaDOI API)
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