Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN (2003)
- Authors:
- Fernandez, J R L - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
- Cerdeira, F - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
- Meneses, E A - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
- Brasil, M J S P - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
- Soares, J A N
- Santos, A M
- Noriega, O C
- Leite, J. R.
- As, D J - Universität Paderborn (UP)
- Köhler, U - Universität Paderborn (UP)
- Potthast, S
- Pacheco Salazar, D G - Universität Paderborn (UP)
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.68.155204
- Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X; MATERIAIS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Physical Review B
- ISSN: 1098-0121
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204. Acesso em: 11 maio 2024. -
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Brasil, M. J. S. P., Soares, J. A. N., Santos, A. M., et al. (2003). Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B. doi:10.1103/physrevb.68.155204 -
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JAN, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco Salazar DG. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN [Internet]. Physical Review B. 2003 ;[citado 2024 maio 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204 -
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JAN, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco Salazar DG. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN [Internet]. Physical Review B. 2003 ;[citado 2024 maio 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204 - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.68.155204 (Fonte: oaDOI API)
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