Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio (1986)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Source:
- Título: Ciencia e Cultura
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.38, n.7 supl., p.352, 1986
- Conference titles: Reunião Anual da SBPC
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ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Ciencia e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 14 fev. 2026. , 1986 -
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Ciencia e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo. -
NLM
Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Ciencia e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 352.[citado 2026 fev. 14 ] -
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Ciencia e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 352.[citado 2026 fev. 14 ] - Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN
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