Efeitos de distorcao e relaxacao na entropia de formacao da vacancia de silicio (1987)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1987
- Source:
- Título: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
SILVA, E C F e DAL PINO JUNIOR, A e LEITE, J. R. Efeitos de distorcao e relaxacao na entropia de formacao da vacancia de silicio. 1987, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1987. . Acesso em: 14 out. 2024. -
APA
Silva, E. C. F., Dal Pino Junior, A., & Leite, J. R. (1987). Efeitos de distorcao e relaxacao na entropia de formacao da vacancia de silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Silva ECF, Dal Pino Junior A, Leite JR. Efeitos de distorcao e relaxacao na entropia de formacao da vacancia de silicio. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2024 out. 14 ] -
Vancouver
Silva ECF, Dal Pino Junior A, Leite JR. Efeitos de distorcao e relaxacao na entropia de formacao da vacancia de silicio. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2024 out. 14 ] - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
- Current research on semiconductor physics
- Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon
- Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p
- Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy
- Semiconductor physics: procedings of the 3 rd brazilian school of semiconductor physics
- Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 3d transition-atom impurities in diamond and germanium
- Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond
- Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces
- Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas