Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v (1985)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: FÍSICA
- Language: Português
- Source:
- Título: Ciencia e Cultura
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.37, n.7 supl., p.251, jul. 1985
- Conference titles: Reuniao da Sbpc
-
ABNT
SILVA, Euzi Conceição Fernandes da e SANTOS, M D F M e LEITE, J. R. Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v. Ciencia e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 09 abr. 2026. , 1985 -
APA
Silva, E. C. F. da, Santos, M. D. F. M., & Leite, J. R. (1985). Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v. Ciencia e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo. -
NLM
Silva ECF da, Santos MDFM, Leite JR. Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v. Ciencia e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2026 abr. 09 ] -
Vancouver
Silva ECF da, Santos MDFM, Leite JR. Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v. Ciencia e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2026 abr. 09 ] - Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN
- Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping
- Photoreflectance investigations of semiconductor device structures
- Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
- Ab initio calculations of the electronic structure and single excitations of 'alfa'-glycine, L-alanine, and L-asparagine
- Assali and leite respond
- Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon
- Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors
- Efeitos de distorcao e relaxacao na entropia de formacao da vacancia de silicio
- Entropia de formacao de defeitos intrinsecos em silicio
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
