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  • Conference title: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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      LINO, A T et al. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1990). Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. In . Singapure: World Scientific.
    • NLM

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;[citado 2022 dez. 02 ]
  • Conference title: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      LEITE, J. R. e GOMES, V M S. Optical transitions in undoped quantum wells under in-plane magnetic fields. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Leite, J. R., & Gomes, V. M. S. (1990). Optical transitions in undoped quantum wells under in-plane magnetic fields. In . Singapure: World Scientific.
    • NLM

      Leite JR, Gomes VMS. Optical transitions in undoped quantum wells under in-plane magnetic fields. 1990 ;[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Leite JR, Gomes VMS. Optical transitions in undoped quantum wells under in-plane magnetic fields. 1990 ;[citado 2022 dez. 02 ]
  • Conference title: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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      CASTINEIRA, J L P e LEITE, J. R. e GOMES, V M S. Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Castineira, J. L. P., Leite, J. R., & Gomes, V. M. S. (1990). Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. In . Singapure: World Scientific.
    • NLM

      Castineira JLP, Leite JR, Gomes VMS. Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. 1990 ;[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Castineira JLP, Leite JR, Gomes VMS. Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. 1990 ;[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF

    Subject: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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      GOMES, V M S et al. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures, v. 6 , n. 1 , p. 47-50, 1989Tradução . . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1989). Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures, 6 ( 1 ), 47-50.
    • NLM

      Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures. 1989 ;6 ( 1 ): 47-50.[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures. 1989 ;6 ( 1 ): 47-50.[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Materials Science Forum. Unidade: IF

    Subject: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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      GOMES, V M S et al. Group-iv impurity related centers in 'GA''AS'. Materials Science Forum, v. 38-41, p. 833, 1989Tradução . . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Gomes, V. M. S., Pintanel, R., Scolfaro, L. M. R., & Meneses, E. A. (1989). Group-iv impurity related centers in 'GA''AS'. Materials Science Forum, 38-41, 833.
    • NLM

      Gomes VMS, Pintanel R, Scolfaro LMR, Meneses EA. Group-iv impurity related centers in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 833.[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Gomes VMS, Pintanel R, Scolfaro LMR, Meneses EA. Group-iv impurity related centers in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 833.[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Programa e Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Subject: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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      LINO, A T et al. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
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      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Programa e Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Subject: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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      CASTINEIRA, J L P e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Castineira, J. L. P., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1989). Estrutura eletronica de impurezas em germanio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF

    Subject: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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      LINO, A T et al. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 23, p. 701, 1989Tradução . . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 23, 701.
    • NLM

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Institute of Physics Conference Series. Unidade: IF

    Subject: SILÍCIO

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      ASSALI, L. V. C. et al. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, v. 95, p. 453, 1989Tradução . . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., Chacham, H., & Alves, J. L. A. (1989). Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, 95, 453.
    • NLM

      Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Programa e Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

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    • ABNT

      LINO, A T et al. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Lino, A. T., Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Actas. Conference title: Simposio Chileno de Fisica. Unidade: IF

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    • ABNT

      PINTANEL, R et al. Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS'. 1988, Anais.. Santiago: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1988. . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Pintanel, R., Scolfaro, L. M. R., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Meneses, E. A. (1988). Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS'. In Actas. Santiago: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Pintanel R, Scolfaro LMR, Gomes VMS, Leite JR, Meneses EA. Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS'. Actas. 1988 ;[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Pintanel R, Scolfaro LMR, Gomes VMS, Leite JR, Meneses EA. Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS'. Actas. 1988 ;[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Programa e Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

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    • ABNT

      GOMES, V M S e ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. Unidade: IF

    Subject: CAMPO MAGNÉTICO

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    • ABNT

      GOMES, V M S et al. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores, v. 3 , p. 50-64, 1988Tradução . . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1988). Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores, 3 , 50-64.
    • NLM

      Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. 1988 ;3 50-64.[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. 1988 ;3 50-64.[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Lec Notes in Phys. Unidade: IF

    Subject: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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      LEITE, J. R. e ASSALI, L. V. C. e GOMES, V M S. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, v. 301, p. 75-94, 1988Tradução . . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1988). Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, 301, 75-94. doi:10.1007/bfb0034418
    • NLM

      Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF

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    • ABNT

      OLIVEIRA, G M G et al. Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1988). Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
    • NLM

      Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AS. Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AS. Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Ciência e Cultura. Conference title: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF

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    • ABNT

      CASTINEIRA, J L P e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 02 dez. 2022. , 1988
    • APA

      Castineira, J. L. P., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. 1988 ;40( 7 supl.): 350.[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. 1988 ;40( 7 supl.): 350.[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Lectures Notes in Physics. Unidade: IF

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    • ABNT

      LEITE, J. R. e ASSALI, L. V. C. e GOMES, V M S. Electronic structure of complex defects in silicon. Lectures Notes in Physics, v. 287, p. 33-53, 1987Tradução . . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1987). Electronic structure of complex defects in silicon. Lectures Notes in Physics, 287, 33-53. doi:10.1007/bfb0034418
    • NLM

      Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon. Lectures Notes in Physics. 1987 ;287 33-53.[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon. Lectures Notes in Physics. 1987 ;287 33-53.[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF

    Subject: CAMPO MAGNÉTICO

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    • ABNT

      CHAVES, A S et al. Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures. Superlattices and Microstructures, v. 3 , n. 3 , p. 231-4, 1987Tradução . . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Chaves, A. S., Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1987). Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures. Superlattices and Microstructures, 3 ( 3 ), 231-4.
    • NLM

      Chaves AS, Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR. Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures. Superlattices and Microstructures. 1987 ;3 ( 3 ): 231-4.[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Chaves AS, Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR. Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures. Superlattices and Microstructures. 1987 ;3 ( 3 ): 231-4.[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subject: CAMPO MAGNÉTICO

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    • ABNT

      OLIVEIRA, G M G et al. Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B, v. 35, n. 6 , p. 2896-903, 1987Tradução . . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1987). Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B, 35( 6 ), 2896-903.
    • NLM

      Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B. 1987 ;35( 6 ): 2896-903.[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B. 1987 ;35( 6 ): 2896-903.[citado 2022 dez. 02 ]
  • Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF

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    • ABNT

      GOMES, V M S et al. Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures. International Journal of Quantum Chemistry, v. 32, n. 6 , p. 655-61, 1987Tradução . . Acesso em: 02 dez. 2022.
    • APA

      Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1987). Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures. International Journal of Quantum Chemistry, 32( 6 ), 655-61.
    • NLM

      Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures. International Journal of Quantum Chemistry. 1987 ;32( 6 ): 655-61.[citado 2022 dez. 02 ]
    • Vancouver

      Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures. International Journal of Quantum Chemistry. 1987 ;32( 6 ): 655-61.[citado 2022 dez. 02 ]

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