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Artigo de periodico
Compact modeling of 2D nanotransistors: materials characteristics, device structures, and analytical techniques (2025)
Souza, Adelcio Marques de ; Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane ; Romero, Murilo Araujo
Source: Nanotechnology. Unidade: EESC
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Compact modeling of 2D nanotransistors: materials characteristics, device structures, and analytical techniques. Nanotechnology, v. 36, n. 37, p. 1-31, 2025Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ae00ce. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2025). Compact modeling of 2D nanotransistors: materials characteristics, device structures, and analytical techniques. Nanotechnology, 36( 37), 1-31. doi:10.1088/1361-6528/ae00ce
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Compact modeling of 2D nanotransistors: materials characteristics, device structures, and analytical techniques [Internet]. Nanotechnology. 2025 ; 36( 37): 1-31.[citado 2025 out. 09 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ae00ce
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Compact modeling of 2D nanotransistors: materials characteristics, device structures, and analytical techniques [Internet]. Nanotechnology. 2025 ; 36( 37): 1-31.[citado 2025 out. 09 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ae00ce
Artigo de periodico
Analytical model for ballistic 2D nanotransistors (2025)
Souza, Adelcio Marques de ; Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane ; Romero, Murilo Araujo
Source: IEEE Open Journal of Nanotechnology. Unidade: EESC
Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, CIRCUITOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, p. 1-11, 2025Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2025). Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, 1-11. doi:10.1109/OJNANO.2025.3598219
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2025 out. 09 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2025 out. 09 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219
Artigo de periodico
Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide (2025)
Souza, Adelcio Marques de ; Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane ; Romero, Murilo Araujo
Source: IEEE Access. Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, NANOELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide. IEEE Access, v. 13, p. 138112-138124, 2025Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2025.3595055. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2025). Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide. IEEE Access, 13, 138112-138124. doi:10.1109/ACCESS.2025.3595055
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide [Internet]. IEEE Access. 2025 ; 13 138112-138124.[citado 2025 out. 09 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2025.3595055
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide [Internet]. IEEE Access. 2025 ; 13 138112-138124.[citado 2025 out. 09 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2025.3595055
Trabalho de evento
Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs (2024)
Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Conference titles: IEEE Latin American Symposium on Circuits and Systems - LASCAS. Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, NANOTECNOLOGIA, ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. 2024, Anais.. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2024. Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2024). Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. In . Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2025 out. 09 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2025 out. 09 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
Trabalho de evento
A physics-based analytical model for ballistic InSe nanotransistors (2024)
Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on Nanotechnology (NANO). Unidade: EESC
Subjects: NANOTECNOLOGIA, ELETRÔNICA, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. A physics-based analytical model for ballistic InSe nanotransistors. 2024, Anais.. Picataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2024. Disponível em: https://dx.doi.org/10.1109/NANO61778.2024.10628708. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2024). A physics-based analytical model for ballistic InSe nanotransistors. In Proceedings. Picataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1109/NANO61778.2024.10628708
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. A physics-based analytical model for ballistic InSe nanotransistors [Internet]. Proceedings. 2024 ;[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1109/NANO61778.2024.10628708
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. A physics-based analytical model for ballistic InSe nanotransistors [Internet]. Proceedings. 2024 ;[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1109/NANO61778.2024.10628708
Artigo de periodico
A physics-based RTD model accounting for space charge and phonon scattering effects (2022)
Celino, Daniel Ricardo; Souza, Adelcio Marques de; Plazas, Caio Luiz Machado Pereira; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EESC
Subjects: POTENCIAL ELÉTRICO, DIODOS, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
CELINO, Daniel Ricardo et al. A physics-based RTD model accounting for space charge and phonon scattering effects. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 1, p. 1-8, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.545. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Celino, D. R., Souza, A. M. de, Plazas, C. L. M. P., Ragi, R., & Romero, M. A. (2022). A physics-based RTD model accounting for space charge and phonon scattering effects. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 1), 1-8. doi:10.29292/jics.v17il.545
NLM
Celino DR, Souza AM de, Plazas CLMP, Ragi R, Romero MA. A physics-based RTD model accounting for space charge and phonon scattering effects [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 1): 1-8.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.545
Vancouver
Celino DR, Souza AM de, Plazas CLMP, Ragi R, Romero MA. A physics-based RTD model accounting for space charge and phonon scattering effects [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 1): 1-8.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.545
Artigo de periodico
Analytical physics-based compact current–voltage model for 2D-2D resonant tunneling diodes (2022)
Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: EESC
Subjects: POTENCIAL ELÉTRICO, ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CELINO, Daniel Ricardo e RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araujo. Analytical physics-based compact current–voltage model for 2D-2D resonant tunneling diodes. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 21, p. 752-762, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2022.3223019. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2022). Analytical physics-based compact current–voltage model for 2D-2D resonant tunneling diodes. IEEE Transactions on Nanotechnology, 21, 752-762. doi:10.1109/TNANO.2022.3223019
NLM
Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical physics-based compact current–voltage model for 2D-2D resonant tunneling diodes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2022 ; 21 752-762.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2022.3223019
Vancouver
Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical physics-based compact current–voltage model for 2D-2D resonant tunneling diodes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2022 ; 21 752-762.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2022.3223019
Artigo de periodico
Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs (2022)
Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EESC
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs. Microelectronics Journal, v. 119, p. 1-8, 2022Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2021.105324. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2022). Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs. Microelectronics Journal, 119, 1-8. doi:10.1016/j.mejo.2021.105324
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. Microelectronics Journal. 2022 ; 119 1-8.[citado 2025 out. 09 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2021.105324
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. Microelectronics Journal. 2022 ; 119 1-8.[citado 2025 out. 09 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2021.105324
Trabalho de evento
Fully analytical compact model for the I-V characteristics of resonant tunneling diodes (2021)
Celino, Daniel Ricardo; Souza, Adelcio Marques de; Plazas, Caio Luiz Machado Pereira; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro. Unidade: EESC
Subjects: POTENCIAL ELÉTRICO, CIRCUITOS ELETRÔNICOS, ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CELINO, Daniel Ricardo et al. Fully analytical compact model for the I-V characteristics of resonant tunneling diodes. 2021, Anais.. Piscataway, NJ, USA: IEEE, 2021. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585749. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Celino, D. R., Souza, A. M. de, Plazas, C. L. M. P., Ragi, R., & Romero, M. A. (2021). Fully analytical compact model for the I-V characteristics of resonant tunneling diodes. In . Piscataway, NJ, USA: IEEE. doi:10.1109/SBMicro50945.2021.9585749
NLM
Celino DR, Souza AM de, Plazas CLMP, Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the I-V characteristics of resonant tunneling diodes [Internet]. 2021 ;[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585749
Vancouver
Celino DR, Souza AM de, Plazas CLMP, Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the I-V characteristics of resonant tunneling diodes [Internet]. 2021 ;[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585749
Artigo de periodico
Accurate and fully analytical expressions for quantum energy levels in fnite potential wells for nanoelectronic compact modeling (2021)
Celino, Daniel Ricardo; Romero, Murilo Araujo ; Ragi, Regiane
Source: Journal of Computational Electronics. Unidade: EESC
Subjects: NANOELETRÔNICA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CELINO, Daniel Ricardo e ROMERO, Murilo Araujo e RAGI, Regiane. Accurate and fully analytical expressions for quantum energy levels in fnite potential wells for nanoelectronic compact modeling. Journal of Computational Electronics, p. 1-9, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s10825-021-01786-5. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Celino, D. R., Romero, M. A., & Ragi, R. (2021). Accurate and fully analytical expressions for quantum energy levels in fnite potential wells for nanoelectronic compact modeling. Journal of Computational Electronics, 1-9. doi:10.1007/s10825-021-01786-5
NLM
Celino DR, Romero MA, Ragi R. Accurate and fully analytical expressions for quantum energy levels in fnite potential wells for nanoelectronic compact modeling [Internet]. Journal of Computational Electronics. 2021 ; 1-9.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s10825-021-01786-5
Vancouver
Celino DR, Romero MA, Ragi R. Accurate and fully analytical expressions for quantum energy levels in fnite potential wells for nanoelectronic compact modeling [Internet]. Journal of Computational Electronics. 2021 ; 1-9.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s10825-021-01786-5
Artigo de periodico
Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs (2019)
Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araujo. Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 18, n. 1, p. 762-769, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2019.2926041. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Ragi, R., & Romero, M. A. (2019). Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, 18( 1), 762-769. doi:10.1109/TNANO.2019.2926041
NLM
Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2019 ; 18( 1): 762-769.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2019.2926041
Vancouver
Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2019 ; 18( 1): 762-769.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2019.2926041
Artigo de periodico
An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs (2016)
Ragi, Regiane; Nobrega, Rafael Vinicius Tayette da; Duarte, Ulysses Rondina; Romero, Murilo Araujo
Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: EESC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, MODELOS MATEMÁTICOS, MODELOS ANALÍTICOS, SEMICONDUTORES, NANOELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAGI, Regiane et al. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 15, n. 4, p. 627-634, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Ragi, R., Nobrega, R. V. T. da, Duarte, U. R., & Romero, M. A. (2016). An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, 15( 4), 627-634. doi:10.1109/TNANO.2016.2567323
NLM
Ragi R, Nobrega RVT da, Duarte UR, Romero MA. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2016 ; 15( 4): 627-634.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323
Vancouver
Ragi R, Nobrega RVT da, Duarte UR, Romero MA. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2016 ; 15( 4): 627-634.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323
Artigo de periodico
Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas (2015)
Romero, Murilo Araujo ; Ragi, Regiane; Manzoli, José Eduardo
Source: Revista Brasileira de Ensino de Física. Unidade: EESC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROMERO, Murilo Araujo e RAGI, Regiane e MANZOLI, José Eduardo. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas. Revista Brasileira de Ensino de Física, v. 37, n. 4, p. 4306 (1-15), 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Romero, M. A., Ragi, R., & Manzoli, J. E. (2015). Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas. Revista Brasileira de Ensino de Física, 37( 4), 4306 (1-15). doi:10.1590/S1806-11173741967
NLM
Romero MA, Ragi R, Manzoli JE. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas [Internet]. Revista Brasileira de Ensino de Física. 2015 ; 37( 4): 4306 (1-15).[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967
Vancouver
Romero MA, Ragi R, Manzoli JE. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas [Internet]. Revista Brasileira de Ensino de Física. 2015 ; 37( 4): 4306 (1-15).[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967
Artigo de periodico
A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration (2012)
Ragi, Regiane; Nóbrega, Rafael Vinícius Tayette da; Romero, Murilo Araujo
Source: COMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering. Unidade: EESC
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAGI, Regiane e NÓBREGA, Rafael Vinícius Tayette da e ROMERO, Murilo Araujo. A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration. COMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, v. 31, n. 2, p. 460-476, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1108/03321641211200536. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Ragi, R., Nóbrega, R. V. T. da, & Romero, M. A. (2012). A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration. COMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, 31( 2), 460-476. doi:10.1108/03321641211200536
NLM
Ragi R, Nóbrega RVT da, Romero MA. A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration [Internet]. COMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering. 2012 ; 31( 2): 460-476.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1108/03321641211200536
Vancouver
Ragi R, Nóbrega RVT da, Romero MA. A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration [Internet]. COMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering. 2012 ; 31( 2): 460-476.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1108/03321641211200536
Trabalho de evento
Theoretical model of the resonant tunneling nanowires by the transfer-matrix method (2011)
Nobrega, Rafael Vinicius Tayette da; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: EESC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOBREGA, Rafael Vinicius Tayette da e RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araujo. Theoretical model of the resonant tunneling nanowires by the transfer-matrix method. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. . Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Nobrega, R. V. T. da, Ragi, R., & Romero, M. A. (2011). Theoretical model of the resonant tunneling nanowires by the transfer-matrix method. In . Juiz de Fora: UFJF.
NLM
Nobrega RVT da, Ragi R, Romero MA. Theoretical model of the resonant tunneling nanowires by the transfer-matrix method. 2011 ;[citado 2025 out. 09 ]
Vancouver
Nobrega RVT da, Ragi R, Romero MA. Theoretical model of the resonant tunneling nanowires by the transfer-matrix method. 2011 ;[citado 2025 out. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
On the modeling of the resonant tunneling devices through the transfer-matrix method (2010)
Nobrega, Rafael Vinicius Tayette da; Duarte, Ulysses Rondina; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: EESC
Assunto: MODELAGEM DE DADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOBREGA, Rafael Vinicius Tayette da et al. On the modeling of the resonant tunneling devices through the transfer-matrix method. 2010, Anais.. Águas de Lindóia: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2010. . Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Nobrega, R. V. T. da, Duarte, U. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2010). On the modeling of the resonant tunneling devices through the transfer-matrix method. In . Águas de Lindóia: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Nobrega RVT da, Duarte UR, Ragi R, Romero MA. On the modeling of the resonant tunneling devices through the transfer-matrix method. 2010 ;[citado 2025 out. 09 ]
Vancouver
Nobrega RVT da, Duarte UR, Ragi R, Romero MA. On the modeling of the resonant tunneling devices through the transfer-matrix method. 2010 ;[citado 2025 out. 09 ]
Trabalho de evento
On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors (2010)
Nobrega, Rafael Vinicius Tayette da; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Source: Proceedings. Conference titles: Argentine School of Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications. Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, EQUAÇÕES NÃO LINEARES, PROCESSOS DE POISSON
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ABNT
NOBREGA, Rafael Vinicius Tayette da e RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araujo. On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors. 2010, Anais.. Montevideo: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2010. Disponível em: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.do?tp=&arnumber=5606376. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Nobrega, R. V. T. da, Ragi, R., & Romero, M. A. (2010). On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors. In Proceedings. Montevideo: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.do?tp=&arnumber=5606376
NLM
Nobrega RVT da, Ragi R, Romero MA. On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors [Internet]. Proceedings. 2010 ;[citado 2025 out. 09 ] Available from: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.do?tp=&arnumber=5606376
Vancouver
Nobrega RVT da, Ragi R, Romero MA. On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors [Internet]. Proceedings. 2010 ;[citado 2025 out. 09 ] Available from: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.do?tp=&arnumber=5606376
Artigo de periodico
I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires (2006)
Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EESC
Subjects: EMISSÃO TERMOIÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araujo. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires. Microelectronics Journal, v. No 2006, n. 11, p. 1261-1264, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Ragi, R., & Romero, M. A. (2006). I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires. Microelectronics Journal, No 2006( 11), 1261-1264. doi:10.1016/j.mejo.2006.06.006
NLM
Ragi R, Romero MA. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires [Internet]. Microelectronics Journal. 2006 ; No 2006( 11): 1261-1264.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006
Vancouver
Ragi R, Romero MA. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires [Internet]. Microelectronics Journal. 2006 ; No 2006( 11): 1261-1264.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006
Artigo de periodico
A note on generalized superposition of coherent states (1999)
Ragi, Regiane; Bagnato, Vanderlei Salvador ; Baseia, Basílio
Source: Modern Physics Letters B. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA MODERNA
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ABNT
RAGI, Regiane e BAGNATO, Vanderlei Salvador e BASEIA, Basílio. A note on generalized superposition of coherent states. Modern Physics Letters B, v. 13, n. 3-4, p. 131-134, 1999Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8226cb1f-d200-4dc1-9173-41be49af16a1/PROD006038_1038845.PDF. Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Ragi, R., Bagnato, V. S., & Baseia, B. (1999). A note on generalized superposition of coherent states. Modern Physics Letters B, 13( 3-4), 131-134. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8226cb1f-d200-4dc1-9173-41be49af16a1/PROD006038_1038845.PDF
NLM
Ragi R, Bagnato VS, Baseia B. A note on generalized superposition of coherent states [Internet]. Modern Physics Letters B. 1999 ;13( 3-4): 131-134.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8226cb1f-d200-4dc1-9173-41be49af16a1/PROD006038_1038845.PDF
Vancouver
Ragi R, Bagnato VS, Baseia B. A note on generalized superposition of coherent states [Internet]. Modern Physics Letters B. 1999 ;13( 3-4): 131-134.[citado 2025 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8226cb1f-d200-4dc1-9173-41be49af16a1/PROD006038_1038845.PDF
Trabalho de evento
Monitoramento de átomos espalhados por luz (1998)
Ragi, Regiane; Bagnato, Vanderlei Salvador ; Baseia, Basílio
Source: Anais de Óptica. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, FÍSICA MODERNA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAGI, Regiane e BAGNATO, Vanderlei Salvador e BASEIA, Basílio. Monitoramento de átomos espalhados por luz. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 09 out. 2025.
APA
Ragi, R., Bagnato, V. S., & Baseia, B. (1998). Monitoramento de átomos espalhados por luz. In Anais de Óptica. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Ragi R, Bagnato VS, Baseia B. Monitoramento de átomos espalhados por luz. Anais de Óptica. 1998 ;[citado 2025 out. 09 ]
Vancouver
Ragi R, Bagnato VS, Baseia B. Monitoramento de átomos espalhados por luz. Anais de Óptica. 1998 ;[citado 2025 out. 09 ]

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