Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas (2015)
- Authors:
- Autor USP: ROMERO, MURILO ARAUJO - EESC
- Unidade: EESC
- DOI: 10.1590/S1806-11173741967
- Subjects: POÇOS QUÂNTICOS; TRANSISTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher place: São Paulo, SP
- Date published: 2015
- Source:
- Título do periódico: Revista Brasileira de Ensino de Física
- ISSN: 1806-1117
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 37, n. 4, p. 4306 (1-15), out./dez. 2015
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by
-
ABNT
ROMERO, Murilo Araujo e RAGI, Regiane e MANZOLI, José Eduardo. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas. Revista Brasileira de Ensino de Física, v. 37, n. 4, p. 4306 (1-15), 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Romero, M. A., Ragi, R., & Manzoli, J. E. (2015). Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas. Revista Brasileira de Ensino de Física, 37( 4), 4306 (1-15). doi:10.1590/S1806-11173741967 -
NLM
Romero MA, Ragi R, Manzoli JE. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas [Internet]. Revista Brasileira de Ensino de Física. 2015 ; 37( 4): 4306 (1-15).[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967 -
Vancouver
Romero MA, Ragi R, Manzoli JE. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas [Internet]. Revista Brasileira de Ensino de Física. 2015 ; 37( 4): 4306 (1-15).[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967 - Analysis of a proposed dropping filter for WDM systems
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Informações sobre o DOI: 10.1590/S1806-11173741967 (Fonte: oaDOI API)
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