I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires (2006)
- Authors:
- Autor USP: ROMERO, MURILO ARAUJO - EESC
- Unidade: EESC
- DOI: 10.1016/j.mejo.2006.06.006
- Subjects: EMISSÃO TERMOIÔNICA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Kidlington
- Date published: 2006
- Source:
- Título: Microelectronics Journal
- ISSN: 0959-8324
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 37, n. 11, p. 1261-1264, Nov. 2006
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araujo. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires. Microelectronics Journal, v. No 2006, n. 11, p. 1261-1264, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006. Acesso em: 19 fev. 2026. -
APA
Ragi, R., & Romero, M. A. (2006). I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires. Microelectronics Journal, No 2006( 11), 1261-1264. doi:10.1016/j.mejo.2006.06.006 -
NLM
Ragi R, Romero MA. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires [Internet]. Microelectronics Journal. 2006 ; No 2006( 11): 1261-1264.[citado 2026 fev. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006 -
Vancouver
Ragi R, Romero MA. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires [Internet]. Microelectronics Journal. 2006 ; No 2006( 11): 1261-1264.[citado 2026 fev. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006 - Caracteristicas dinamicas de fotodetetores baseados em dopagem modulada (modfets)
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.mejo.2006.06.006 (Fonte: oaDOI API)
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