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Dissertação (Mestrado)
Estudo da pureza de filmes depositados por "Vacuum Arc Plasma Deposition System" (2002)
Martins, Deilton Reis; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: FILMES FINOS, PLASMA (MICROELETRÔNICA)
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ABNT
MARTINS, Deilton Reis. Estudo da pureza de filmes depositados por "Vacuum Arc Plasma Deposition System". 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Martins, D. R. (2002). Estudo da pureza de filmes depositados por "Vacuum Arc Plasma Deposition System" (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Martins DR. Estudo da pureza de filmes depositados por "Vacuum Arc Plasma Deposition System". 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Martins DR. Estudo da pureza de filmes depositados por "Vacuum Arc Plasma Deposition System". 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Relatorio tecnico
Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures (2002)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 12 set. 2024. , 2002
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2002). Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures. São Paulo: EPUSP.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Relatorio tecnico
Highly conductive N-Type micron s-Si:H films deposited at very low temperature (2002)
Nardes, Alexandre Mantovani; Dirani, Ely Antonio Tadeu
Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
NARDES, Alexandre Mantovani e DIRANI, Ely Antonio Tadeu. Highly conductive N-Type micron s-Si:H films deposited at very low temperature. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 12 set. 2024. , 2002
APA
Nardes, A. M., & Dirani, E. A. T. (2002). Highly conductive N-Type micron s-Si:H films deposited at very low temperature. São Paulo: EPUSP.
NLM
Nardes AM, Dirani EAT. Highly conductive N-Type micron s-Si:H films deposited at very low temperature. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Nardes AM, Dirani EAT. Highly conductive N-Type micron s-Si:H films deposited at very low temperature. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Relatorio tecnico
New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor (2002)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 12 set. 2024. , 2002
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2002). New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. São Paulo: EPUSP.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Trabalho de evento-resumo
Microstructure characterization of magnetron sputtered Ti and Zr thin films (2002)
Chinaglia, Eliane F.; Oppenheim, Ivette Frida Cymbaum
Fonte: Programa e Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: EP
Assuntos: MATERIAIS, FILMES FINOS
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ABNT
CHINAGLIA, Eliane F. e OPPENHEIM, Ivette Frida Cymbaum. Microstructure characterization of magnetron sputtered Ti and Zr thin films. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Chinaglia, E. F., & Oppenheim, I. F. C. (2002). Microstructure characterization of magnetron sputtered Ti and Zr thin films. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Chinaglia EF, Oppenheim IFC. Microstructure characterization of magnetron sputtered Ti and Zr thin films. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Chinaglia EF, Oppenheim IFC. Microstructure characterization of magnetron sputtered Ti and Zr thin films. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Dissertação (Mestrado)
Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD (2002)
Oliveira, Alessandro Ricardo de; Paez Carreño, Marcelo Nelson (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: FILMES FINOS, SILÍCIO
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ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Oliveira, A. R. de. (2002). Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Oliveira AR de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Oliveira AR de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Trabalho de evento-resumo
Análise de superfície de filmes finos de cobre (2002)
Carvalho, Alexsander Tressino de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Silva, Maria Lucia Pereira da
Fonte: SIICUSP;CICTE: resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da USP. Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
CARVALHO, Alexsander Tressino de e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Análise de superfície de filmes finos de cobre. 2002, Anais.. São Paulo: USP, 2002. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Carvalho, A. T. de, Santos Filho, S. G. dos, & Silva, M. L. P. da. (2002). Análise de superfície de filmes finos de cobre. In SIICUSP;CICTE: resumos. São Paulo: USP. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm
NLM
Carvalho AT de, Santos Filho SG dos, Silva MLP da. Análise de superfície de filmes finos de cobre [Internet]. SIICUSP;CICTE: resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm
Vancouver
Carvalho AT de, Santos Filho SG dos, Silva MLP da. Análise de superfície de filmes finos de cobre [Internet]. SIICUSP;CICTE: resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm
Trabalho de evento-resumo
Filme fino de TEOS para proteção de superfícies (2002)
Carvalho, Rodrigo Amorim Motta; Silva, Ana Neilde Rodrigues da; Silva, Maria Lucia Pereira da
Fonte: SIICUSP;CICTE: resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da USP. Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARVALHO, Rodrigo Amorim Motta e SILVA, Ana Neilde Rodrigues da e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Filme fino de TEOS para proteção de superfícies. 2002, Anais.. São Paulo: USP, 2002. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Carvalho, R. A. M., Silva, A. N. R. da, & Silva, M. L. P. da. (2002). Filme fino de TEOS para proteção de superfícies. In SIICUSP;CICTE: resumos. São Paulo: USP. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm
NLM
Carvalho RAM, Silva ANR da, Silva MLP da. Filme fino de TEOS para proteção de superfícies [Internet]. SIICUSP;CICTE: resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm
Vancouver
Carvalho RAM, Silva ANR da, Silva MLP da. Filme fino de TEOS para proteção de superfícies [Internet]. SIICUSP;CICTE: resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm
Relatorio tecnico
A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices (2002)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio
Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio. A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 12 set. 2024. , 2002
APA
Nicolett, A. S., & Martino, J. A. (2002). A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. São Paulo: EPUSP.
NLM
Nicolett AS, Martino JA. A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA. A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Artigo de periodico
Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films (2002)
Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés
Fonte: Thin Solid Films. Unidades: IF, EP
Assuntos: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, ESPECTROMETRIA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, v. 413, n. 1-2, p. 59-64, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2002). Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, 413( 1-2), 59-64. doi:10.1016/s0040-6090(02)00346-2
NLM
Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 413( 1-2): 59-64.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2
Vancouver
Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 413( 1-2): 59-64.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2
Artigo de periodico
Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices (2002)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley et al. Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. Solid-State Electronics, n. 9, p. 1381-1387, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00067-9. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2002). Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. Solid-State Electronics, ( 9), 1381-1387. doi:10.1016/s0038-1101(02)00067-9
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices [Internet]. Solid-State Electronics. 2002 ;( 9): 1381-1387.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00067-9
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices [Internet]. Solid-State Electronics. 2002 ;( 9): 1381-1387.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00067-9
Artigo de periodico
Contamination due to memory effects in filtered vacuum arc plasma deposition systems (2002)
Martins, Deilton Reis; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira; Verdonck, Patrick Bernard; Brown, I G
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Assuntos: VÁCUO, FÍSICA DE PLASMAS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINS, Deilton Reis et al. Contamination due to memory effects in filtered vacuum arc plasma deposition systems. Applied Physics Letters, v. 81, n. 11, p. 1969-1971, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1506019. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Martins, D. R., Salvadori, M. C. B. da S., Verdonck, P. B., & Brown, I. G. (2002). Contamination due to memory effects in filtered vacuum arc plasma deposition systems. Applied Physics Letters, 81( 11), 1969-1971. doi:10.1063/1.1506019
NLM
Martins DR, Salvadori MCB da S, Verdonck PB, Brown IG. Contamination due to memory effects in filtered vacuum arc plasma deposition systems [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 11): 1969-1971.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1506019
Vancouver
Martins DR, Salvadori MCB da S, Verdonck PB, Brown IG. Contamination due to memory effects in filtered vacuum arc plasma deposition systems [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 11): 1969-1971.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1506019
Trabalho de evento
Finite element modeling of engineered thin film/coating systems (2002)
Mustoe, G. G. W.; Souza, Roberto Martins de ; Zhong, D.; Moore, J. J.
Fonte: ICAMMP 2002 : proceedings. Nome do evento: International Conference on Advances in Materials and Materiais Processing. Unidade: EP
Assuntos: MÉTODO DOS ELEMENTOS FINITOS (MODELAGEM), DESGASTE, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MUSTOE, G. G. W. et al. Finite element modeling of engineered thin film/coating systems. 2002, Anais.. New Delhi: Tata Mcgraw-Hill, 2002. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fb9c461c-619b-498a-b069-c495b0c806e1/Souza_RM-2002-finite%20element%20modeling.pdf. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Mustoe, G. G. W., Souza, R. M. de, Zhong, D., & Moore, J. J. (2002). Finite element modeling of engineered thin film/coating systems. In ICAMMP 2002 : proceedings. New Delhi: Tata Mcgraw-Hill. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/fb9c461c-619b-498a-b069-c495b0c806e1/Souza_RM-2002-finite%20element%20modeling.pdf
NLM
Mustoe GGW, Souza RM de, Zhong D, Moore JJ. Finite element modeling of engineered thin film/coating systems [Internet]. ICAMMP 2002 : proceedings. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fb9c461c-619b-498a-b069-c495b0c806e1/Souza_RM-2002-finite%20element%20modeling.pdf
Vancouver
Mustoe GGW, Souza RM de, Zhong D, Moore JJ. Finite element modeling of engineered thin film/coating systems [Internet]. ICAMMP 2002 : proceedings. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fb9c461c-619b-498a-b069-c495b0c806e1/Souza_RM-2002-finite%20element%20modeling.pdf
Dissertação (Mestrado)
Microfabricação à base de materiais crescidos por PECVD (2002)
Lopes, Alexandre Tavares; Paez Carreño, Marcelo Nelson (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: FILMES FINOS, SILÍCIO, SISTEMAS MICROELETROMECÂNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, Alexandre Tavares. Microfabricação à base de materiais crescidos por PECVD. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Lopes, A. T. (2002). Microfabricação à base de materiais crescidos por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Lopes AT. Microfabricação à base de materiais crescidos por PECVD. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Lopes AT. Microfabricação à base de materiais crescidos por PECVD. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Tese (Livre Docência)
Estudo e desenvolvimento de processos de deposição por plasma de filmes de carbono amorfo hidrogenado (Diamond Like Carbon - DLC) (2002)
Mansano, Ronaldo Domingues
Unidade: EP
Assuntos: PLASMA (MICROELETRÔNICA), FILMES FINOS, DIELÉTRICOS, CARBONO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues. Estudo e desenvolvimento de processos de deposição por plasma de filmes de carbono amorfo hidrogenado (Diamond Like Carbon - DLC). 2002. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-06072022-073436/. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Mansano, R. D. (2002). Estudo e desenvolvimento de processos de deposição por plasma de filmes de carbono amorfo hidrogenado (Diamond Like Carbon - DLC) (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-06072022-073436/
NLM
Mansano RD. Estudo e desenvolvimento de processos de deposição por plasma de filmes de carbono amorfo hidrogenado (Diamond Like Carbon - DLC) [Internet]. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-06072022-073436/
Vancouver
Mansano RD. Estudo e desenvolvimento de processos de deposição por plasma de filmes de carbono amorfo hidrogenado (Diamond Like Carbon - DLC) [Internet]. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-06072022-073436/
Tese (Doutorado)
Estudo e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS-TFT à baixa temperatura (< 600°C) (2002)
Viana, Carlos Eduardo; Morimoto, Nilton Itiro (Orientador) ; Bonnaud, Olivier (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA, FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VIANA, Carlos Eduardo. Estudo e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS-TFT à baixa temperatura (< 600°C). 2002. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Viana, C. E. (2002). Estudo e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS-TFT à baixa temperatura (< 600°C) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Viana CE. Estudo e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS-TFT à baixa temperatura (< 600°C). 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Viana CE. Estudo e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS-TFT à baixa temperatura (< 600°C). 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Trabalho de evento-resumo
Programa SILICIO: agrupando e correlacionando dados sobre deposição e caracterização de filmes finos de silício hidrogenado (2002)
Lima, John Paul Hempel; Dirani, Ely Antonio Tadeu ; Nardes, Alexandre Mantovani; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Fonte: SIICUSP;CICTE: resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da USP. Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, John Paul Hempel et al. Programa SILICIO: agrupando e correlacionando dados sobre deposição e caracterização de filmes finos de silício hidrogenado. 2002, Anais.. São Paulo: USP, 2002. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Lima, J. P. H., Dirani, E. A. T., Nardes, A. M., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (2002). Programa SILICIO: agrupando e correlacionando dados sobre deposição e caracterização de filmes finos de silício hidrogenado. In SIICUSP;CICTE: resumos. São Paulo: USP. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm
NLM
Lima JPH, Dirani EAT, Nardes AM, Fonseca FJ, Andrade AM de. Programa SILICIO: agrupando e correlacionando dados sobre deposição e caracterização de filmes finos de silício hidrogenado [Internet]. SIICUSP;CICTE: resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm
Vancouver
Lima JPH, Dirani EAT, Nardes AM, Fonseca FJ, Andrade AM de. Programa SILICIO: agrupando e correlacionando dados sobre deposição e caracterização de filmes finos de silício hidrogenado [Internet]. SIICUSP;CICTE: resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm
Trabalho de evento-resumo
Preparation and characterization of thin 'SnO IND.2' films, by RBS and AFM (2002)
Engel, Wanda Gabriel Pereira; Silva, Alessandro Alves da; Tabacniks, Manfredo Harri ; Gouvêa, Douglas
Fonte: Programa e Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATERIAIS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENGEL, Wanda Gabriel Pereira et al. Preparation and characterization of thin 'SnO IND.2' films, by RBS and AFM. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Engel, W. G. P., Silva, A. A. da, Tabacniks, M. H., & Gouvêa, D. (2002). Preparation and characterization of thin 'SnO IND.2' films, by RBS and AFM. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Engel WGP, Silva AA da, Tabacniks MH, Gouvêa D. Preparation and characterization of thin 'SnO IND.2' films, by RBS and AFM. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Engel WGP, Silva AA da, Tabacniks MH, Gouvêa D. Preparation and characterization of thin 'SnO IND.2' films, by RBS and AFM. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 12 ]

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