Microfabricação à base de materiais crescidos por PECVD (2002)
- Authors:
- Autor USP: LOPES, ALEXANDRE TAVARES - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Subjects: FILMES FINOS; SILÍCIO; SISTEMAS MICROELETROMECÂNICOS
- Language: Português
- Abstract: Foram fabricadas grades, membranas com topografia 3D e pontes auto-sustentadas usando filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) e carbeto de silício (a-SiC:H) obtidos pela técnica de Deposição Química a Vapor assistida por Plasma (PECVD) em baixas temperaturas. As microestruturas foram fabricadas por microusinagem de substrato e superfície em substratos de silício e vidro. Os filmes de SiOxNy foram obtidos a 320°C utilizando misturas de N2O e SiH4 como gases precursores. Os filmes de a-SiC:H foram obtidos a 320°C utilizando misturas de CH4 e SiH4 como gases precursores. As condições de crescimento desses materiais não foram estabelecidas aqui e foram extraídas de trabalhos que abordam especificamente a relação entre as suas propriedades e os parâmetros de deposição. Do ponto de vista dos materiais, os filmes foram caracterizados por meio de análises de espectroscopia de absorção na região do infravermelho (FTIR) e de medidas de "stress". Quanto às microestruturas, o seu aspecto final e os processos de fabricação foram avaliados principalmente por meio de microscopia óptica e microscopia eletrônica de varredura. Do ponto de vista dos resultados, estes comprovam a versatilidade da técnica de PECVD para obtenção de materiais com propriedades apropriadas para a fabricação de microestruturas e MEMS em geral. Assim, mostramos que películas grossas de SiOxNy obtido por PECVD podem ter baixos níveis de"stress" interno, apresentam alta resistência à corrosão química em KOH e podem ser usados para fabricar (por microusinagem de substrato) grades e membranas auto-sustentadas estáveis mecanicamente e com até ~1 cm2 de área útil. As pontes auto-sustentadas foram fabricadas com a-SiC:H por meio de técnicas de microusinagem de superfície e utilizando o mesmo SiOxNy PECVD das grades e membranas como material e sacrifício. ) Os resultados obtidos com estas estruturas demonstram que o a-SiC:H PECVD (estequiométrico e ordem química otimizada) também é um material apropriado ao desenvolvimento de microestruturas, já que se mostra resistente à corrosão em KOH e HF, pode ser corroído por processos a plasma, e os filmes auto-sustentados não apresentaram sinais evidentes de "stress".
- Imprenta:
- Data da defesa: 16.12.2002
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ABNT
LOPES, Alexandre Tavares. Microfabricação à base de materiais crescidos por PECVD. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16092024-105616/pt-br.php. Acesso em: 30 dez. 2025. -
APA
Lopes, A. T. (2002). Microfabricação à base de materiais crescidos por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16092024-105616/pt-br.php -
NLM
Lopes AT. Microfabricação à base de materiais crescidos por PECVD [Internet]. 2002 ;[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16092024-105616/pt-br.php -
Vancouver
Lopes AT. Microfabricação à base de materiais crescidos por PECVD [Internet]. 2002 ;[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16092024-105616/pt-br.php
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