Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD (2002)
- Authors:
- Autor USP: OLIVEIRA, ALESSANDRO RICARDO DE - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Subjects: FILMES FINOS; SILÍCIO
- Language: Português
- Abstract: A seguir apresentamos um estudo sobre a dopagem elétrica de filmes de a-Si1-xCx:H quase estequiométricos (x~0,5) obtidos pela técnica PECVD a baixas temperaturas (320´GRAUS´C). Este trabalho se desenvolveu com o intuito de sistematizar e otimizar o estudo da dopagem elétrica deste material, uma vez que trabalhos prévios apresentaram a viabilidade de dopar eficientemente estes filmes de a-SiC:H. As amostras estudadas neste trabalho são dopadas tipo N e tipo P pelas técnicas de implantação iônica e difusão térmica. Para dopagem tipo N utilizamos a implantação iônica de nitrogênio e fósforo, com diferentes doses, energias e tratamentos térmicos pós-implantação. No caso da dopagem tipo P o objetivo foi de otimizar o processo de difusão térmica de alumínio, estudando diferentes temperaturas e tempos recozimento. Também foram feitos testes de dopagem por implantação iônica de boro, uma vez que resultados prévios mostraram que este processo conduz a instabilidades no comportamento elétrico das amostras, e as causas ainda não ficaram bem esclarecidas. Com isso resolvemos realizar novamente a dopagem com este elemento que é de grande interesse tecnológico para se obter uma dopagem tipo P. A dopagem foi avaliada a partir de medidas de condutividade elétrica em função da temperatura, de onde é obtida a energia de ativação e que permite avaliar a eficiência da dopagem elétrica
- Imprenta:
- Data da defesa: 16.08.2002
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ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Oliveira, A. R. de. (2002). Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Oliveira AR de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Oliveira AR de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
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