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Trabalho de evento
Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors (2023)
Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo; Romero, Murilo Araujo
Source: Proceedings. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro. Unidade: EESC
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de e CELINO, Daniel Ricardo e ROMERO, Murilo Araujo. Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors. 2023, Anais.. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2023. Disponível em: https://dx.doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302479. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., & Romero, M. A. (2023). Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors. In Proceedings. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302479
NLM
Souza AM de, Celino DR, Romero MA. Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors [Internet]. Proceedings. 2023 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302479
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Romero MA. Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors [Internet]. Proceedings. 2023 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302479
Trabalho de evento-resumo
Using organic magnetoresistance effect features to understand the spin-orbit coupling in rare-earth quinolinate complexes effect based devices (2017)
Carvalho, Rafael dos Santos; Costa, Deyse Gomes da; Ávila, Harold Camargo; Paolini, Tiago Becerra; Brito, Hermi Felinto de ; Capaz, Rodrigo B; Cremona, Marco
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IQ
Subjects: SEMICONDUTORES, TERRAS RARAS
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ABNT
CARVALHO, Rafael dos Santos et al. Using organic magnetoresistance effect features to understand the spin-orbit coupling in rare-earth quinolinate complexes effect based devices. 2017, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais/SBPMat, 2017. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/16encontro/anais/pdfs/plenary/BPQ4.pdf. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Carvalho, R. dos S., Costa, D. G. da, Ávila, H. C., Paolini, T. B., Brito, H. F. de, Capaz, R. B., & Cremona, M. (2017). Using organic magnetoresistance effect features to understand the spin-orbit coupling in rare-earth quinolinate complexes effect based devices. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais/SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/16encontro/anais/pdfs/plenary/BPQ4.pdf
NLM
Carvalho R dos S, Costa DG da, Ávila HC, Paolini TB, Brito HF de, Capaz RB, Cremona M. Using organic magnetoresistance effect features to understand the spin-orbit coupling in rare-earth quinolinate complexes effect based devices [Internet]. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/16encontro/anais/pdfs/plenary/BPQ4.pdf
Vancouver
Carvalho R dos S, Costa DG da, Ávila HC, Paolini TB, Brito HF de, Capaz RB, Cremona M. Using organic magnetoresistance effect features to understand the spin-orbit coupling in rare-earth quinolinate complexes effect based devices [Internet]. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/16encontro/anais/pdfs/plenary/BPQ4.pdf
Trabalho de evento
Fully integrated RF mixer in 0.7μm CMOS for intra-corporal communication devices (2017)
Celino, Daniel Ricardo; Gounella, Rodrigo Henrique; Costa, João Paulo de Campos da; Assagra, Yuri Andrey Olivato; Carmo, João Paulo Pereira do
Source: Proceedings. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2017. Unidade: EESC
Subjects: SEMICONDUTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
CELINO, Daniel Ricardo et al. Fully integrated RF mixer in 0.7μm CMOS for intra-corporal communication devices. 2017, Anais.. São Paulo, SP: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2017. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/79dac6a8-6084-42af-8f7b-be970c71d648/OK___trabalho%2001%20%28SAAEI%202018%29.pdf. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Celino, D. R., Gounella, R. H., Costa, J. P. de C. da, Assagra, Y. A. O., & Carmo, J. P. P. do. (2017). Fully integrated RF mixer in 0.7μm CMOS for intra-corporal communication devices. In Proceedings. São Paulo, SP: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/79dac6a8-6084-42af-8f7b-be970c71d648/OK___trabalho%2001%20%28SAAEI%202018%29.pdf
NLM
Celino DR, Gounella RH, Costa JP de C da, Assagra YAO, Carmo JPP do. Fully integrated RF mixer in 0.7μm CMOS for intra-corporal communication devices [Internet]. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/79dac6a8-6084-42af-8f7b-be970c71d648/OK___trabalho%2001%20%28SAAEI%202018%29.pdf
Vancouver
Celino DR, Gounella RH, Costa JP de C da, Assagra YAO, Carmo JPP do. Fully integrated RF mixer in 0.7μm CMOS for intra-corporal communication devices [Internet]. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/79dac6a8-6084-42af-8f7b-be970c71d648/OK___trabalho%2001%20%28SAAEI%202018%29.pdf
Trabalho de evento-resumo
Thermo-optical characterization of CdSe/CdS quantum dots in aqueous solutions by laser-induced conical diffraction (2017)
Lima, S. R.; Messias, D. N.; Andrade, A. A.; Silva, A. C. A.; Dantas, N. O.; Zílio, Sérgio Carlos ; Pilla, V.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on Nanophotonics - ICNP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
LIMA, S. R. et al. Thermo-optical characterization of CdSe/CdS quantum dots in aqueous solutions by laser-induced conical diffraction. 2017, Anais.. Recife: National Institute of Photonics, 2017. Disponível em: http://www.icnp2017.org. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Lima, S. R., Messias, D. N., Andrade, A. A., Silva, A. C. A., Dantas, N. O., Zílio, S. C., & Pilla, V. (2017). Thermo-optical characterization of CdSe/CdS quantum dots in aqueous solutions by laser-induced conical diffraction. In Proceedings. Recife: National Institute of Photonics. Recuperado de http://www.icnp2017.org
NLM
Lima SR, Messias DN, Andrade AA, Silva ACA, Dantas NO, Zílio SC, Pilla V. Thermo-optical characterization of CdSe/CdS quantum dots in aqueous solutions by laser-induced conical diffraction [Internet]. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://www.icnp2017.org
Vancouver
Lima SR, Messias DN, Andrade AA, Silva ACA, Dantas NO, Zílio SC, Pilla V. Thermo-optical characterization of CdSe/CdS quantum dots in aqueous solutions by laser-induced conical diffraction [Internet]. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://www.icnp2017.org
Trabalho de evento-resumo
High performance supercapacitor based on a new material: GO/PAni/'WO IND. 3'NW nanocomposite (2017)
Aquino, Caroline Brambilla de; Cândido, Eduardo G; Silva, Anderson Gabriel Marques da; Machado, Maria M; Camargo, Pedro Henrique Cury de ; Domingues, Sérgio H
Source: Proceedings. Conference titles: World Chemistry Congress. Unidade: IQ
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOCOMPOSITOS
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ABNT
AQUINO, Caroline Brambilla de et al. High performance supercapacitor based on a new material: GO/PAni/'WO IND. 3'NW nanocomposite. 2017, Anais.. Durham: International Union of Pure and Applied Chemistry (IUPAC), 2017. Disponível em: http://www.neopixdmi.com.br/@mci/iupac2017/. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Aquino, C. B. de, Cândido, E. G., Silva, A. G. M. da, Machado, M. M., Camargo, P. H. C. de, & Domingues, S. H. (2017). High performance supercapacitor based on a new material: GO/PAni/'WO IND. 3'NW nanocomposite. In Proceedings. Durham: International Union of Pure and Applied Chemistry (IUPAC). Recuperado de http://www.neopixdmi.com.br/@mci/iupac2017/
NLM
Aquino CB de, Cândido EG, Silva AGM da, Machado MM, Camargo PHC de, Domingues SH. High performance supercapacitor based on a new material: GO/PAni/'WO IND. 3'NW nanocomposite [Internet]. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://www.neopixdmi.com.br/@mci/iupac2017/
Vancouver
Aquino CB de, Cândido EG, Silva AGM da, Machado MM, Camargo PHC de, Domingues SH. High performance supercapacitor based on a new material: GO/PAni/'WO IND. 3'NW nanocomposite [Internet]. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://www.neopixdmi.com.br/@mci/iupac2017/
Trabalho de evento
Simulating semiconductor spectra emissions in a PC cluster (2002)
Sipahi, Guilherme Matos ; Travieso, Gonzalo
Source: Proceedings. Conference titles: Symposium on Computer Architecture and High Performance Computing. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos e TRAVIESO, Gonzalo. Simulating semiconductor spectra emissions in a PC cluster. 2002, Anais.. New York: IEEE, 2002. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M., & Travieso, G. (2002). Simulating semiconductor spectra emissions in a PC cluster. In Proceedings. New York: IEEE.
NLM
Sipahi GM, Travieso G. Simulating semiconductor spectra emissions in a PC cluster. Proceedings. 2002 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Sipahi GM, Travieso G. Simulating semiconductor spectra emissions in a PC cluster. Proceedings. 2002 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
The role of surface-localized states in the in-plane transport properties of superlattices (2001)
Henriques, André Bohomoletz
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz. The role of surface-localized states in the in-plane transport properties of superlattices. 2001, Anais.. Berlin: Springer, 2001. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Henriques, A. B. (2001). The role of surface-localized states in the in-plane transport properties of superlattices. In Proceedings. Berlin: Springer.
NLM
Henriques AB. The role of surface-localized states in the in-plane transport properties of superlattices. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Henriques AB. The role of surface-localized states in the in-plane transport properties of superlattices. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping (2000)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: International Workshop on Nitride Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping. 2000, Anais.. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2000). Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping. In Proceedings. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Influence of biaxial strain on thermodynamic, structural, and electronic properties on 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys (2000)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Leite, J. R.; Bechstedt, F
Source: Proceedings. Conference titles: International Workshop on Nitride Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
TELES, L. K. et al. Influence of biaxial strain on thermodynamic, structural, and electronic properties on 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. 2000, Anais.. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Leite, J. R., & Bechstedt, F. (2000). Influence of biaxial strain on thermodynamic, structural, and electronic properties on 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. In Proceedings. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Leite JR, Bechstedt F. Influence of biaxial strain on thermodynamic, structural, and electronic properties on 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Leite JR, Bechstedt F. Influence of biaxial strain on thermodynamic, structural, and electronic properties on 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy (2000)
Fernandez, J R L; Tabata, A; Chitta, V A; As, D J; Frey, T; Noriega, O C; Silva, M T O; Abramof, E; Schikora, D; Lischka, K; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: International Workshop on Nitride Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. 2000, Anais.. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Tabata, A., Chitta, V. A., As, D. J., Frey, T., Noriega, O. C., et al. (2000). Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. In Proceedings. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP.
NLM
Fernandez JRL, Tabata A, Chitta VA, As DJ, Frey T, Noriega OC, Silva MTO, Abramof E, Schikora D, Lischka K, Leite JR. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Tabata A, Chitta VA, As DJ, Frey T, Noriega OC, Silva MTO, Abramof E, Schikora D, Lischka K, Leite JR. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Theoretical and experimental analysis of electron beam irradiated polymers (1999)
Chinaglia, Dante Luís; Figueiredo, Mariângela Tassinari de; Santos, L F; Leal Ferreira, Guilherme Fontes; Faria, Roberto Mendonça
Source: Proceedings. Conference titles: International Symposium on Electrets. Unidade: IFSC
Subjects: POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), SEMICONDUTORES
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ABNT
CHINAGLIA, Dante Luís et al. Theoretical and experimental analysis of electron beam irradiated polymers. 1999, Anais.. Piscataway: IEEE, 1999. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Chinaglia, D. L., Figueiredo, M. T. de, Santos, L. F., Leal Ferreira, G. F., & Faria, R. M. (1999). Theoretical and experimental analysis of electron beam irradiated polymers. In Proceedings. Piscataway: IEEE.
NLM
Chinaglia DL, Figueiredo MT de, Santos LF, Leal Ferreira GF, Faria RM. Theoretical and experimental analysis of electron beam irradiated polymers. Proceedings. 1999 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Chinaglia DL, Figueiredo MT de, Santos LF, Leal Ferreira GF, Faria RM. Theoretical and experimental analysis of electron beam irradiated polymers. Proceedings. 1999 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom) (1997)
Saito, Megumi; Torres, A; Valle, Márcio Almeida
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SAITO, Megumi e TORRES, A e VALLE, Márcio Almeida. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Saito, M., Torres, A., & Valle, M. A. (1997). Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Saito M, Torres A, Valle MA. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Saito M, Torres A, Valle MA. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom) (1997)
Marques, Angelo Eduardo Battistini; Furlan, Rogério
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, Angelo Eduardo Battistini e FURLAN, Rogério. Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Marques, A. E. B., & Furlan, R. (1997). Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Marques AEB, Furlan R. Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Marques AEB, Furlan R. Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom) (1997)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1997). Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom) (1997)
Prager, O C; Perez Lisboa, Maurício Oscar; Hidalgo, A R; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PRAGER, O C et al. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Prager, O. C., Perez Lisboa, M. O., Hidalgo, A. R., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Prager OC, Perez Lisboa MO, Hidalgo AR, Ramírez Fernandez FJ. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Prager OC, Perez Lisboa MO, Hidalgo AR, Ramírez Fernandez FJ. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom) (1997)
Silva, Maria Lucia Pereira da; Cardoso, A R
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Maria Lucia Pereira da e CARDOSO, A R. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Silva, M. L. P. da, & Cardoso, A. R. (1997). Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Silva MLP da, Cardoso AR. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Silva MLP da, Cardoso AR. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1997). Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom) (1997)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Morimoto, Nilton Itiro
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira e MORIMOTO, Nilton Itiro. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Bulla, D. A. P., & Morimoto, N. I. (1997). Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bulla DAP, Morimoto NI. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Bulla DAP, Morimoto NI. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom) (1997)
Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom) (1997)
Verri, Antônio Sandro; Correra, Fatima Salete
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VERRI, Antônio Sandro e CORRERA, Fatima Salete. Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Verri, A. S., & Correra, F. S. (1997). Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Verri AS, Correra FS. Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Verri AS, Correra FS. Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 09 ]

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