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Artigo de periodico
Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, P
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IF, IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Trabalho de evento-resumo
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (1999)
Pusep, Yuri A. ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Artigo de periodico
Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers (1999)
Levine, A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Sipahi, Guilherme Matos; Quivy, A. A.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Dias, I. F. L.; Lauretto, E.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E. A.; Oliveira, A. G.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
LEVINE, A. et al. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4634-4637, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Sipahi, G. M., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., et al. (1999). Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, 59( 7), 4634-4637. doi:10.1103/physrevb.59.4634
NLM
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Artigo de periodico
Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells (1999)
Choque, N. M. S.; Beliaev, D.; Soares, J. A. N. T.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sperandio, A. L.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CHOQUE, N. M. S. et al. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 26, n. 4, p. 243-250, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1999.0770. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Choque, N. M. S., Beliaev, D., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1999). Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 26( 4), 243-250. doi:10.1006/spmi.1999.0770
NLM
Choque NMS, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Sperandio AL, Quivy AA, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 26( 4): 243-250.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1999.0770
Vancouver
Choque NMS, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Sperandio AL, Quivy AA, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 26( 4): 243-250.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1999.0770
Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures (1998)
Tabata, A; Levine, A; Marti ceschin, A; Quivy, A. A.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Radiation Effects & Defects in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Seminconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
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ABNT
TABATA, A et al. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. London: Gordon & Breach. . Acesso em: 26 jun. 2024. , 1998
APA
Tabata, A., Levine, A., Marti ceschin, A., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. London: Gordon & Breach.
NLM
Tabata A, Levine A, Marti ceschin A, Quivy AA, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. 1998 ; 146 207-214.[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Tabata A, Levine A, Marti ceschin A, Quivy AA, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. 1998 ; 146 207-214.[citado 2024 jun. 26 ]
Artigo de periodico
Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers (1998)
Levine, A; Silva, E C F da; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA
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ABNT
LEVINE, A et al. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 301-306, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 301-306. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
NLM
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Trabalho de evento-resumo
Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells (1998)
Sotomayor, N M; Soares, J A N T; Sperandio, A L; Quivy, A. A.; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SOTOMAYOR, N M et al. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Sotomayor, N. M., Soares, J. A. N. T., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Artigo de periodico
Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices (1998)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W da; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 5, p. 1033-1035, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W. da, Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1998). Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, 23( 5), 1033-1035. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta (1996)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Silva, S W; Galzerani, J C; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Silva, S. W., Galzerani, J. C., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1996). Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Silva SW, Galzerani JC, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Silva SW, Galzerani JC, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Trabalho de evento
Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes (1996)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Pusep, Yuri A.; Silva, S W; Silva, M T O; Galzerani, J C
Source: Anais. Conference titles: Internatuonal Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Quivy, A. A., Lima, A. P., Leite, J. R., et al. (1996). Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. Anais. 1996 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. Anais. 1996 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers (1996)
Levine, A; Silva, E C F; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, A et al. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1996). Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Levine A, Silva ECF, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Levine A, Silva ECF, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies (1996)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Pusep, Yuri A.; Silva, S W; Silva, M T O; Galzerani, J C
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Quivy, A. A., Lima, A. P., Leite, J. R., et al. (1996). Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Artigo de periodico
Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices (1996)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices. Physical Review B, v. 54, n. 19, p. 13927-31, 1996Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1996). Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices. Physical Review B, 54( 19), 13927-31. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices [Internet]. Physical Review B. 1996 ;54( 19): 13927-31.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices [Internet]. Physical Review B. 1996 ;54( 19): 13927-31.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells (1995)
Tabata, A; Ceschin, A M; Scolfaro, L M R; Quivy, A. A.; Silva, E C F; Enderlein, R; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Laureto, E; Meneses, E A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. 1995, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Tabata, A., Ceschin, A. M., Scolfaro, L. M. R., Quivy, A. A., Silva, E. C. F., Enderlein, R., et al. (1995). Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Quivy AA, Silva ECF, Enderlein R, Leite JR, Oliveira JBB, Laureto E, Meneses EA. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. Resumos. 1995 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Quivy AA, Silva ECF, Enderlein R, Leite JR, Oliveira JBB, Laureto E, Meneses EA. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. Resumos. 1995 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction (1995)
Leite, J. R.; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Beliaev, D; Quivy, A. A.
Source: Materials Science and Engeneering B. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LEITE, J. R. et al. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 26 jun. 2024. , 1995
APA
Leite, J. R., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Beliaev, D., & Quivy, A. A. (1995). Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2024 jun. 26 ]
Artigo de periodico
Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction (1995)
Leite, J. R.; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Beliaev, D; Quivy, A. A.
Source: Materials Science & Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 250-5, 1995Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Leite, J. R., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Beliaev, D., & Quivy, A. A. (1995). Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science & Engineering B, 35, 250-5. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf
NLM
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf
Vancouver
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf
Artigo de periodico
Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells (1994)
Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Soares, J A N T; Enderlein, R; Tabata, A; Scolfaro, L M R; Silva, E C F; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A
Source: Superlattices and Microstrutuctures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CESCHIN, A M et al. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstrutuctures, v. 15, n. 3 , p. 333-7, 1994Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Tabata, A., Scolfaro, L. M. R., et al. (1994). Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstrutuctures, 15( 3 ), 333-7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Meneses EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstrutuctures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Meneses EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstrutuctures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
Artigo de periodico
Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method (1994)
Beliaev, D; Enderlein, R; Soares, J A N T; Scolfaro, L M R; Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELIAEV, D et al. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method. Superlattices and Microstructures, v. 15, n. 3 , p. 339-43, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Beliaev, D., Enderlein, R., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1994). Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method. Superlattices and Microstructures, 15( 3 ), 339-43. doi:10.1006/spmi.1994.1066
NLM
Beliaev D, Enderlein R, Soares JANT, Scolfaro LMR, Ceschin AM, Quivy AA, Leite JR. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 339-43.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066
Vancouver
Beliaev D, Enderlein R, Soares JANT, Scolfaro LMR, Ceschin AM, Quivy AA, Leite JR. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 339-43.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066
Artigo de periodico
Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures (1994)
Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Mendonca, C A C; Beliaev, D; Shibli, S M; Silva, E C F; Meneses, E A
Source: Materials Science Forum. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum, v. 143-7, p. 669-74, 1994Tradução . . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Mendonca, C. A. C., Beliaev, D., Shibli, S. M., Silva, E. C. F., & Meneses, E. A. (1994). Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum, 143-7, 669-74.
NLM
Scolfaro LMR, Leite JR, Mendonca CAC, Beliaev D, Shibli SM, Silva ECF, Meneses EA. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum. 1994 ;143-7 669-74.[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Leite JR, Mendonca CAC, Beliaev D, Shibli SM, Silva ECF, Meneses EA. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum. 1994 ;143-7 669-74.[citado 2024 jun. 26 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells (1994)
Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Soares, J A N T; Enderlein, R; Tabata, A; Scolfaro, L M R; Silva, E C F; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Menezes, E A
Source: Superlattices and Microstructures. Conference titles: International Conference on Superlattices, Microructures and Microdevices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESCHIN, A M et al. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. London: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 26 jun. 2024. , 1994
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Tabata, A., Scolfaro, L. M. R., et al. (1994). Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. London: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Menezes EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Menezes EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2024 jun. 26 ]

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