Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SILVA, VANESSA CRISTINA DA - EESC
- Unidades: EP; EESC
- DOI: 10.29292/jics.v17i2.617
- Subjects: TRANSISTORES; NANOELETRÔNICA; TEMPERATURA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Porto Alegre
- Date published: 2022
- Source:
- Título: Journal of Integrated Circuits and Systems
- ISSN: 1807-1953
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 17, n. 2, p. 1-9, Oct. 2022
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
SIMOEN, Eddy et al. Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 2, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.617. Acesso em: 27 jan. 2026. -
APA
Simoen, E., Coelho, C. H. S., Silva, V. C. P. da, Martino, J. A., Agopian, P. G. D., Oliveira, A., et al. (2022). Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 2), 1-9. doi:10.29292/jics.v17i2.617 -
NLM
Simoen E, Coelho CHS, Silva VCP da, Martino JA, Agopian PGD, Oliveira A, Cretu B, Veloso A. Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2026 jan. 27 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.617 -
Vancouver
Simoen E, Coelho CHS, Silva VCP da, Martino JA, Agopian PGD, Oliveira A, Cretu B, Veloso A. Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2026 jan. 27 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.617 - Obtenção anaeróbia de etanol em reator em batelada a partir de glicose, xilose e celulose em condição termófila
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Informações sobre o DOI: 10.29292/jics.v17i2.617 (Fonte: oaDOI API)
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