DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; NICOLETTI, TALITHA - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/1.3474141
- Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: New Jersey
- Date published: 2010
- Source:
- Título: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010
- ISSN: 1938-5862
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.31, n.1, p. 51-58, 2010
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 51-58, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474141. Acesso em: 06 nov. 2024. -
APA
Santos, S. D. dos, Nicoletti, T., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2010). DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 51-58. doi:10.1149/1.3474141 -
NLM
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Simoen E, Claeys C. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 51-58.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474141 -
Vancouver
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Simoen E, Claeys C. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 51-58.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474141 - On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs
- Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS
- Experimental and Simulation of 1T-DRAM Trend with the Gate Length on UTBOX Devices
- Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória
- Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado
- Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais
- Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto
- Temperature and oxide thickness influence on the generation lifetime determination in partially depleted SOI nMOSFETs
- Theoretical and experimental study of the front and back interface trap density in accumulation mode SOI MOSFETs at low temperatures
- The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs
Informações sobre o DOI: 10.1149/1.3474141 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
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