Simulation of a Miller OpAmp with FinFETs at High temperatures (2012)
- Authors:
- Autor USP: PAVANELLO, MARCELO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/04901.0177ecst
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2012
- Source:
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
CONTRERAS, Esteban e CERDEIRA, Antonio e PAVANELLO, Marcelo Antonio. Simulation of a Miller OpAmp with FinFETs at High temperatures. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0177ecst. Acesso em: 06 out. 2024. -
APA
Contreras, E., Cerdeira, A., & Pavanello, M. A. (2012). Simulation of a Miller OpAmp with FinFETs at High temperatures. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0177ecst -
NLM
Contreras E, Cerdeira A, Pavanello MA. Simulation of a Miller OpAmp with FinFETs at High temperatures [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0177ecst -
Vancouver
Contreras E, Cerdeira A, Pavanello MA. Simulation of a Miller OpAmp with FinFETs at High temperatures [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0177ecst - Influencia do substrato no transistor soi mosfet em temperatura ambiente (300k) e em baixa temperatura (77k)
- Projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET
- Liquid helium temperature operation of graded-channel SOI nMOSFETs
- Potential of improved gain in operational transconductance amplifier using 0,5 Mm graded-channel SOI nMOSFET for applications in the gigahertz range
- Behavior of graded channel SOI gate-all-around NMOSFET devices at high temperatures
- Comparison between conventional and graded-channel SOI nMOSFETs in low temperature operation
- Analog performance of graded-channel SOI NMOSFETS at low temperatures
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Informações sobre o DOI: 10.1149/04901.0177ecst (Fonte: oaDOI API)
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