Influencia do substrato no transistor soi mosfet em temperatura ambiente (300k) e em baixa temperatura (77k) (1996)
- Authors:
- Autor USP: PAVANELLO, MARCELO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Apresentamos neste trabalho um estudo da influencia do substrato sobre as caracteristicas eletricas do transistor soi mosfet em temperatura ambiente e em baixa temperatura. Para este estudo foram utilizados transistores operando em modo enriquecimento e em modo acumulacao. Desenvolvemos um modelo analitico simples para a queda de potencial no substrato de soi mosfet's de camada fina e o integramos aos modelos classicamente utilizados. O modelo desenvolvido foi validado atraves de simulacoes numericas bidimensionais realizadas com o simulador medici. As previsoes teoricas e por simulacao foram comprovadas experimentalmente nao so em temperatura ambiente como em temperatura de nitrogenio liquido. Concluimos que os efeitos do substrato sobre as caracteristicas eletricas do transistor soi nao mais podem ser desprezados, principalmente quando oxidos enterrados finos sao utilizados, sobretudo em baixa temperatura. O modelo analitico desenvolvido mostrou-se capaz de descrever os efeitos provocados pelo substrato no transistor soi tanto em temperatura ambiente quanto em baixa temperatura.
- Imprenta:
- Data da defesa: 01.02.1996
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ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio. Influencia do substrato no transistor soi mosfet em temperatura ambiente (300k) e em baixa temperatura (77k). 1996. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. . Acesso em: 05 out. 2024. -
APA
Pavanello, M. A. (1996). Influencia do substrato no transistor soi mosfet em temperatura ambiente (300k) e em baixa temperatura (77k) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Pavanello MA. Influencia do substrato no transistor soi mosfet em temperatura ambiente (300k) e em baixa temperatura (77k). 1996 ;[citado 2024 out. 05 ] -
Vancouver
Pavanello MA. Influencia do substrato no transistor soi mosfet em temperatura ambiente (300k) e em baixa temperatura (77k). 1996 ;[citado 2024 out. 05 ] - Projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET
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