Liquid helium temperature operation of graded-channel SOI nMOSFETs (2012)
- Authors:
- Autor USP: PAVANELLO, MARCELO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/04901.0135ecst
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2012
- Source:
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
SOUZA, Michelly de et al. Liquid helium temperature operation of graded-channel SOI nMOSFETs. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0135ecst. Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Souza, M. de, Kilchytska, V., Flandre, D., & Pavanello, M. A. (2012). Liquid helium temperature operation of graded-channel SOI nMOSFETs. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0135ecst -
NLM
Souza M de, Kilchytska V, Flandre D, Pavanello MA. Liquid helium temperature operation of graded-channel SOI nMOSFETs [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0135ecst -
Vancouver
Souza M de, Kilchytska V, Flandre D, Pavanello MA. Liquid helium temperature operation of graded-channel SOI nMOSFETs [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0135ecst - Influência do substrato no transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente (300k) e em baixa temperatura (77k)
- Projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET
- Simulation of a Miller OpAmp with FinFETs at High temperatures
- Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature
- Analog performance of graded-channel SOI NMOSFETS at low temperatures
- A simple analytical model of graded-channel SOI nMOSFET transconductance
- Implementation of tunable resistors using graded-channel SOI MOSFETs operating in cryogenic environments
- Analysis of harmonic distortion in graded-channel SOI MOSFETs at high temperatures
- Design of operational transconductance amplifiers with improved gain by using graded-channel SOI nMOSFETs
- Comparison between drain induced barrier lowering in partially and fully depleted 0.13'mu'm SOI nMOSFETs in low temperature operation
Informações sobre o DOI: 10.1149/04901.0135ecst (Fonte: oaDOI API)
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