Accounting for short channel effects in the drain current modeling of junctionless nanowire transistors (2012)
- Authors:
- USP affiliated authors: PAVANELLO, MARCELO ANTONIO - EP ; DORIA, RENAN TREVISOLI - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/04901.0207ecst
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2012
- Source:
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
TREVISOLI, Renan et al. Accounting for short channel effects in the drain current modeling of junctionless nanowire transistors. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0207ecst. Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Trevisoli, R., Doria, R. T., Souza, M. de, & Pavanello, M. A. (2012). Accounting for short channel effects in the drain current modeling of junctionless nanowire transistors. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0207ecst -
NLM
Trevisoli R, Doria RT, Souza M de, Pavanello MA. Accounting for short channel effects in the drain current modeling of junctionless nanowire transistors [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0207ecst -
Vancouver
Trevisoli R, Doria RT, Souza M de, Pavanello MA. Accounting for short channel effects in the drain current modeling of junctionless nanowire transistors [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0207ecst - Application of junctionless nanowire transistor in the self-cascode configuration to improve the analog performance
- Intrinsic gate capacitances of n-type junctionless nanowire transistors using a three-dimensional device simulation and experimental measurements
- Operação e modelagem de transistores MOS sem junções
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Informações sobre o DOI: 10.1149/04901.0207ecst (Fonte: oaDOI API)
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