Cross-section features influence on surrounding MuGFETs (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP ; MARTINO, MARCIO DALLA VALLE - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/1.3474146
- Subjects: TRANSISTORES; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: New Jersey
- Date published: 2010
- Source:
- Título: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010
- ISSN: 1938-5862
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.31, n.1, p. 91-98, 2010
- Status:
- Nenhuma versão em acesso aberto identificada
-
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle e AGOPIAN, Paula Ghedini Der e MARTINO, João Antonio. Cross-section features influence on surrounding MuGFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 91-98, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474146. Acesso em: 24 mar. 2026. -
APA
Martino, M. D. V., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2010). Cross-section features influence on surrounding MuGFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 91-98. doi:10.1149/1.3474146 -
NLM
Martino MDV, Agopian PGD, Martino JA. Cross-section features influence on surrounding MuGFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 91-98.[citado 2026 mar. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474146 -
Vancouver
Martino MDV, Agopian PGD, Martino JA. Cross-section features influence on surrounding MuGFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 91-98.[citado 2026 mar. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474146 - Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures
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