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Tese

Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (2012)

  • Authors:
  • Autor USP: MARTINO, MARCIO DALLA VALLE - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: MICROELETRÔNICA; TRANSISTORES
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho apresenta o estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo, denominados TFETs. Foram realizadas análises com base em explicação teórica, simulação numérica e medidas experimentais para demonstrar a viabilidade do uso desta tecnologia como alternativa para permitir o contínuo escalamento de dispositivos. A motivação para o uso de transistores com corrente principal resultante do tunelamento de banda para banda consiste na proposta de superar o limite físico de inclinação de sublimiar da tecnologia CMOS convencional de 60 mV/década sob temperatura ambiente. Afinal, esta limitação impede a redução na tensão de alimentação de circuitos e, consequentemente, apresenta crescentes problemas quanto à dissipação de potência. Com este objetivo, foram realizadas simulações numéricas de diversas geometrias alternativas visando atenuar as características indesejáveis dos TFETs, como a corrente ambipolar e a relativamente baixa relação ION/IOFF. Inicialmente são definidos os modelos necessários para representar adequadamente os fenômenos relevantes sob variação de temperatura e é definida uma estrutura capaz de minimizar os efeitos da ambipolaridade. Posteriormente, medidas experimentais foram utilizadas para calibrar as simulações e estudar o efeito da temperatura e do dimensionamento no funcionamento de dispositivos desta tecnologia. Comparando resultados práticos e simulados, nota-se como uma redução no comprimento de porta, com a consequente inserção de uma subposição (underlap) em relação à junção canal/dreno, e uma diminuição na temperatura permitem a obtenção de valores promissores de inclinação de sublimiar e de relação ION/IOFF, compatível com a proposta de futuras aplicações digitais e analógicas.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 26.03.2012
    • Acesso à fonte
    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINO, Márcio Dalla Valle. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/. Acesso em: 21 jan. 2026.

    • APA

      Martino, M. D. V. (2012). Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/

    • NLM

      Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2026 jan. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/

    • Vancouver

      Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2026 jan. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/

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