Ligas de silício amorfo hidrogenado: obtenção, caracterização e aplicações (1995)
- Autor:
- Autor USP: ALVAREZ, INES PEREYRA DE - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Este trabalho descreve pesquisas referentes a obtenção e caracterização de diversas ligas de silício amorfo hidrogenado depositadas pela técnica de 'DEPOSIÇÃO QUÍMICA A VAPOR ASSISTIDA POR PLASMA' e de dispositivos de filme fino desenvolvidos utilizando estes materiais. Começamos mostrando a viabilidade de obtenção de silício amorfo de qualidade para dispositivos e sua aplicação em células solares. Posteriormente desenvolvemos carbeto de silício amorfo de iato óptico variável e o aplicamos em transistores de filme fino, sensores de imagem e em estruturas de multicamadas. Finalmente passamos a desenvolver materiais isolantes e semicondutores de iato óptico largo, depositados a baixa temperatura, para aplicação em dispositivos de efeito de campo e em eletrônica de potência. Os resultados mostraram que, com apropriadas condições de deposição, é possível obter dióxido de silício com excelentes propriedades estruturais e ligas amorfas de silicio-carbono com ordem química similar a do carbeto de silício cristalino.
- Imprenta:
- Data da defesa: 29.11.1995
-
ABNT
PEREYRA, Inés. Ligas de silício amorfo hidrogenado: obtenção, caracterização e aplicações. 1995. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1995. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Pereyra, I. (1995). Ligas de silício amorfo hidrogenado: obtenção, caracterização e aplicações (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Pereyra I. Ligas de silício amorfo hidrogenado: obtenção, caracterização e aplicações. 1995 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Pereyra I. Ligas de silício amorfo hidrogenado: obtenção, caracterização e aplicações. 1995 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation
- One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor
- Photoluminescenct silicon-rich silicon oxynitride alloys grown by PECVD
- Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer
- Photoluminescence in silicon-rich PECVD silicon oxynitride alloys
- Study of MOS capacitors with annealed TiO2 gate dielectric layer
- Study of TiOxNy MOS capacitors
- High quality low temperature DPECVD silicon dioxide
- Influence of deposition parameters at the structural characteristics of silicon dioxide deposited by pecvd at low temperatures
- Low temperature pecvd silicon oxide
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas